本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后,利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究,为了查明蚀刻残留物的形成机制,从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体,观察了其效果。同时,为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层,引入了湿法和干式工艺进行了比较。
对于零维和一维纳米材料,SEM观察时需要分散。一般使用有机溶剂加分散剂,超声波分散,离心沉淀后用吸管取上清液,滴在干净的硅片或载玻片上,干燥后用导电胶带粘取。具体沉淀时间或离心机的参数,需要多做几次试验,针对不同的材料特点,选择好的条件。
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