SEM用硅片含有氧元素吗

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现，在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后，利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究，为了查明蚀刻残留物的形成机制，从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体，观察了其效果。同时，为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层，引入了湿法和干式工艺进行了比较。

可以现在乙醇中超声分散，然后用硅片捞取样品，用导电胶粘在样品台上，这样看纤维我觉得比较好另外，如果实在要看固体粉末，不要直接粘在导电胶上，这样不是很好，我觉得还是用铜片好一点，不过尽量不要看固体，高度不均的情况下，看到的图像也是相称度很差

硅片是制作晶体管和集成电路的原料。

一般是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。

面临挑战：

1、切割线直径

更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。

2、荷载

每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量。

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