SEM用硅片含有氧元素吗

SEM用硅片含有氧元素吗,第1张

为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响,我们发现,在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的,湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物,这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明,湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后,利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究,为了查明蚀刻残留物的形成机制,从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体,观察了其效果。同时,为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层,引入了湿法和干式工艺进行了比较。

可以现在乙醇中超声分散,然后用硅片捞取样品,用导电胶粘在样品台上,这样看纤维我觉得比较好另外,如果实在要看固体粉末,不要直接粘在导电胶上,这样不是很好,我觉得还是用铜片好一点,不过尽量不要看固体,高度不均的情况下,看到的图像也是相称度很差


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