直拉法生长的硅单晶，存在多种缺陷，各种缺陷的产生机理、影响及控制手段分别是那些？

我只能描述以下缺陷：

实际晶体的空间点阵和理想的空间点阵不同，它不完全有规则周期排列，而是点阵在排列上有这样或那样不规则性，存在着点阵畸变，偏离空间点阵。那些偏离点阵的结构或地区通称晶体缺陷。

根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下几类。

1、点缺陷

点缺陷特征是三个方向的尺寸很小，只有几个原子间距，如各种溶质原子引起的周围畸变区；空位，间隙原子以及这几类点担风险的复合体。固溶体中大小(a)和(b)溶质原子引起的点阵畸变示意图(c)图表示原子跑到阵间隙中，这样产生的空位称为弗兰克（Фpehkelb）空位，(d)图表示原子跑掉晶体表面去，这样产生的空位称肖脱基（Schottky）空位。

2、线缺陷

线缺陷特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），第三个方向上的尺寸很大，可以贯穿整个晶体，属这一类缺陷主要是位错。位错有三种基本类型：刃型位错、螺型位错、混合位错。

3、面缺陷

面缺陷的特征是一个方向上尺寸很小（相同点缺陷），在其它两个方向上的尺寸很大，晶体的外表面及各种内界面—一般晶界、孪晶界、亚晶界、相晶界以及层错等属于这一类。

4、体缺陷

体缺陷是三堆缺陷，在三个方向上尺寸部较大，不是很大，例如晶体孔晶、漩涡条纹、杂质条纹，包裹体，慢沙（由包裹体组成的层状分子）。

在拉制单晶硅因为生长环境：如温度场、机械传动、杂质浓度等因素都会造成硅片的质量缺陷，具体如何去避免那只能靠相关的经验啦.

熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就是单晶硅。但如果冷却温度过快、机械振动或者存在固体颗粒杂质就会产生多晶或者缺陷。

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