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背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的,所以原子序数大的原子越大,弹性碰撞的概率越大,所以原子序数大的背散射电子强度的大;二次电子是从样品表面发射的电子,跟原子序数没关系,跟样品的表面形态有关,因为撞击角度90度是二次电子基本么有,倾斜装机的二次电子产率就很高了,所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。金相观察是依赖可见光的反射,其原理是被腐蚀的晶界处发生漫反射,在照片上是暗的未被腐蚀的晶粒内部发生的是镜面反射,在照片上是亮的.SEM分二次电子像和背散射电子像:二次电子像必须腐蚀样品,不腐蚀的话什么都看不到.照完金相的样品可以直接照二次电子,但照片的情况有所不同,<1000倍时,二次电子像观察到的晶界是亮的,因为晶界被腐蚀掉,样品在晶界出现棱角,二次电子的产额大,因此是量的,晶界内部反而暗.如果倍数放到足够大,能够看清晶界处的腐蚀程度和凹凸情况背散射电子像是分析样品的成分分布,最好不要腐蚀样品,因为腐蚀样品会把第二相腐蚀掉.
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