SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

二次电子信号来自于样品表面层5～l0nm,电子与样品原子的核外电子作用，一部分能量转移到原子，导致原子中的一个电子被逐出而产生二次电子。二次电子信号强弱与样品表面粗糙度有关，可利用二次电子成像的模式-SEI模式观察样品表面形貌。

电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞，电子方向发生改变，但无能量损失，这样的电子叫背散射电子。背散射电子信号强弱与样品原子的原子量有关，可利用背散射电子成像的模式-BSE模式观察样品表面元素分布情况。

二次电子成像一般是扫描电镜最基本的配置，图像主要反映表面几何形貌的反差信息，同时也有一定程度的原子序数反差信息，但以几何形貌反差为主.二次电子出射深度和范围主要和电子束斑直径有关，所以可以实现高分辨形貌观察。

背散射电子成像一般是选配，背散射探测器不像二次电子探测器基本上是一种，而是有几种选择，效果有不小差异，价格也有差别。背散射电子图像主要反映样品表面一定厚度范围内密度反差（和平均原子序数有关，因此也称作原子序数反差或者成分反差），由于背散射电子产额也与表面几何形貌有一定函数关系，因此页有一定程度的形貌反差，但以平均原子序数反差为主。由于背散射电子出射深度和作用区的大小有关，因此一般作用区的尺寸相比电子束斑大的多，因此背散射电子信号的空间分辨率相对SE信号要低的多。

在双信号成像扫描电镜中，可以同时采集SE图像和BSE图像，双屏同时显示，以精确比较。 也可以信号混合形成更加精确地形貌和平均原子序数反差图像。

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