SEM用硅片含有氧元素吗

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现，在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后，利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究，为了查明蚀刻残留物的形成机制，从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体，观察了其效果。同时，为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层，引入了湿法和干式工艺进行了比较。

因为空气中的污染。根据查询相关资料信息，切sem会出现c和o元素，是因一般空气中都有油脂等有机物的存在，很容易吸附到样品表面造成污染，出现c和o元素。扫描电子显微镜，SEM，是一种介于透射电子显微镜和光学显微镜之间的一种观察手段，其利用聚焦的很窄的高能电子束来扫描样品，通过光束与物质间的相互作用，来激发各种物理信息，对这些信息收集、放大、再成像以达到对物质微观形貌表征的目的。

通过SEM可以观察到活性炭的表观形貌及晶体结构，而无法判断含氧官能团的存在与否。因此，SEM图片中出现白色部分不能断定为含氧官能团导致，只是有这个可能，还可能是由于电镜扫描得出的图片本身就会出现明暗交织的图像。

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