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高岭土有机插层复合物的表征包括插层效果、复合物的成分及结构、复合物的谱学特征、复合物的物化性质等多方面的内容，详细精确的表征是探讨反应机理和查明复合物的性质及确定用途的基础研究工作。

一、插层效果

插层效果可用层间距、插层率两个参数来表征。层间距的变化说明有机分子是否插入高岭土层间，插层率则表征插层反应进行的程度。

高岭石的层间距（basal spacing）为0.716nm，其层间域（interlayer spacing）为0.292nm［32］。有机分子插入高岭石层间域后，引起层间域膨胀，其层间域也相应增大，XRD的d001值可以直接反映出这种变化。插层后，高岭石的0.716nm衍射峰强度变弱，而代之以出现新的衍射峰。因此，层间距的变化是评价插层是否进行的最直接手段，但不能反映插层作用进行的程度。

插层率（intercalation ratio）可用来评价插层反应程度，用高岭石插层前后的d001值强度变化比值（RI）来表示：

RI＝Ic/（Ic+Ik）

公式中Ic表示插层后复合物中新出现的膨胀高岭石d001值衍射峰强度，Ik表示插层后残余的未膨胀的高岭石的d001值衍射峰强度。

插层后，膨胀高岭石越多，相应的残余未膨胀的高岭石则越少，0.716nm的衍射峰强度则减弱得越多。用插层率可以反映复合物中膨胀高岭石所占份额，即反映了插层反应进行的程度。

二、谱学特征

红外光谱（IR）、拉曼光谱（Raman）和魔角旋转核磁共振谱（MAS NMR）分析是表征高岭石-有机插层复合物常用的研究方法。应用红外光谱和拉曼光谱技术可以表征高岭石表面羟基团的振动谱带及在插层前后的变化。核磁共振技术研究插层过程的化学位移，能反应原子所处的化学环境和直接表征键的强度以及插层有机分子定向［33～40］。根据谱学特征可推断有机分子在高岭石层间的排列方式。因此，谱学技术可有效地表征插层机理和层间分子的定向性。

高岭石在IR和Raman光谱上，有5个振动带：v1（3699cm-1）、v2（3665cm-1）、v3（3642cm-1）、v4（3682cm-1）、v5（3620cm-1）。其中v4为只具有Raman活性而IR为非活性。v5带为内羟基的伸缩振动，强度最大。其他4带为内表面羟基的伸缩振动。其中，v1、v4为不同对称性氢键的同相（in-phase）伸缩振动，v2、v3为与v1、v4相对应的异相（out-of-phase）伸缩振动。插层作用对内羟基v5带影响小，对内表面羟基影响大，使v1、v2、v3、v4的强度减弱，峰的分布面积减小。插层作用导致高岭石部分谱带消失和新的谱带形成，插层前后谱带特征变化越大，插层效果越好。v1+v4值的变化具有代表性，插层前后强度值（面积）的变化可用来衡量插层程度［41］。

核磁共振技术有1H、2H、13C、29Si、27AlNMR等分析，用于研究这些原子所处的化学环境及插层前后的变化，从而推断有机分子在高岭石层间的键合强度及定向排列方式。王林江［42］等用1H核磁共振技术（1HNMR）研究高岭石-甲酰胺插层机理，区分出高岭石结构中内表面羟基和内羟基质子的吸收峰，表征了插层作用对质子化学位移的影响和高岭石的结构变化。

三、吸附、插层与接枝

如何区分高岭石层间插入和表面吸附的插层剂分子是表征技术中的一个难点。表面吸附和层间插入的插层剂分子由于和高岭石结合程度及所处环境不同，表现出不同的物化性质。通过缓慢加热使两者在不同的时间释放出来，即准等温分析是一种较为有效的方法。

接枝作用是一种特殊的插层取代作用，是插层主体和客体分子形成共价键的过程，一般在高温或高压下，通过Al—OH基与烃基形成共价键（Al—O—C）。接枝复合物与插层复合物的区别对同一插层剂来说，直接表现在层间距的不同，接枝产物的层间距比取代反应形成的插层复合物小，但接枝产物的结合键强，稳定性好。用直接插层剂对高岭石进行预处理使层间膨胀，能促进接枝作用发生。甲醇插层高岭石后，其插层复合物仅能存在于甲醇溶液保护的环境中，当风干后，层间距由1.08nm缩小到0.82nm或0.86nm，JamesJ.Tunney等［43］通过XRD、FTIR、TG以及13CNMR分析认为是发生了共价键的接枝反应，其产物（Kao-OMe）示意图见图2-1。

图2-1 接枝产物Kao-OMe8.2nm结构示意图

（据Tunney等［43］）

四、化学组成分析

有机化合物CHN含量分析，结合热失重分析，可以大致确定吸附的有机物含量和插层的有机物含量。根据插层有机物的含量可以计算出插层复合物的化学分子式。计算结果可以佐证由XRD和谱学特征推断的分子排列方式以及理论化学分子式。

五、插层复合物的性质

高岭石有机插层后形成的复合物有许多不同于高岭石或有机分子的物化性质，包括形貌特征、比表面积、稳定性、反应活性等。这些特殊性质使得插层复合物在很多领域得到应用或有潜在的应用价值。

1）形貌特征。扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）是表征插层后高岭土形态的有效方式。高岭石在插层前后形貌有较大的变化，目前有关这方面的照片资料很少，一般情况下，高岭石的晶片棱角明显，层片纹理清晰。经插层后，由于有机物常吸附包裹在高岭石的表面，使得高岭石片层纹理模糊，棱角钝化。

2）比表面积。比表面积常用BET法测定。有机分子的插层使高岭石层间距增大，比表面积增加。复合物的比表面积在一定程度上反应高岭石晶层膨胀程度，比表面积大，插层效果好。

3）稳定性。高岭土-有机插层复合物的稳定性包括在空气中的稳定性、抵抗水淋滤作用的能力和抗热分解能力三方面。将处理后的复合体，用XRD测定层间距的变化来评价复合物的稳定性。不稳定的复合物经处理后层间距恢复到高岭石的0.716nm。还可用热重-差热分析（TG-DTA）和差示扫描量热（DSC）分析评价复合物的热稳定性。插层复合物中，目前只有Kao-DMSO、Kao-KAc比较稳定，可稳定存在很长时间，Kao-DMSO在常温下能存在长达几年的时间［44］。而肼、甲醇插层复合物只能存在于溶液保护条件下，室温下风干就会发生脱嵌。

Rnman和IR光谱也能反映插层复合物的稳定性，羟基伸缩振动带插层后向低频方向漂移，其漂移距离与形成的氢键强度呈正相关，漂移距离越大，形成的复合物越稳定。同理，羟基变形振动带向高频漂移，漂移越多，高岭土有机复合物的稳定性越好。

4）其他性质。高岭石有机插层之后，具有许多特殊性能。高岭石用α-巯基苯并噻唑插层制备的复合物（Kao-MBT），对Pb2+的吸附能力由高岭石的1.30μmol·g-1提高到4.17μmol·g-1，可应用于环境保护［45］。高岭土-对硝基苯胺表现出二次非线性光学特征，能在光学材料方面得到应用。

相同：都是电子枪即发射电子的装置,都有阴极和阳极,阴极都是点源发射,阴极和阳极之间有直流高压电场存在,高压一般可调,用于控制电子的发射速度（能量）,电子枪发射的电流强度很小,微安级别和纳安级别,为防止气体电离造成的大电流击穿高压电源,都需要高真空环境.电子枪阴极都属于耗材系列.

差异和优劣:

1、点源直径不同及优劣：

钨灯丝电子枪阴极使用0.1mm直径的钨丝制成V形（发叉式钨丝阴极）,使用V形的尖端作为点发射源,曲率半径大约为0.1mm；场发射电子枪阴极使用0.1mm直径的钨丝,经过腐蚀制成针状的尖阴极,一般曲率半径在100nm~1μm之间.由于制作工艺上的差异,造价不同,发叉式钨丝阴极便宜,场发射阴极很贵.

2、发射机制不同和优劣

钨灯丝属于热发射,在灯丝电极加直流电压,钨丝发热,使用温度一般在2600K~2800K之间,钨丝有很高的电子发射效率,温度越高电流密度越大,理想情况下的的电子枪亮度越高.由于材料的蒸发速度随温度升高而急剧上升,因此钨灯丝的寿命比较短,一般在50~200小时之间,这个和设定的灯丝温度有关.由于电子发射温度高,发射的电子能量分散度大,一般2ev,电子枪引起的色差会比较大.

场发射电子枪主要的发射机制不是靠加热阴极,而是在尖阴极表面增加强电场,从而降低阴极材料的表面势垒,并且可以使得表面势垒宽度变窄到纳米尺度,从而出现量子隧道效应,在常温甚至在低温下,大量低能电子通过隧道发射到真空中,由于阴极材料温度低,一般材料不会损失,因此寿命很长,可使用上万小时.

3、电子枪控制方式和电子源直径不同和优劣性.

钨灯丝是三极自给偏压控制,具有偏压负反馈电路,因此发射电流稳定度高；由于阴极发射点源面积大,因此电子源尺寸也比较大,50~100μm,发射可达几十~150μA,但电子枪的亮度低,因此当电子束斑聚焦到几个纳米的时候,总的探针电流很小,信噪比太低是限制图像分辨率的根本因素,当前最佳钨灯丝扫描电镜最佳分辨率3.0nm.

场发射电子枪没有偏压负反馈电路,外界电源的稳定度是决定因素,发射电流稳定度相比要低一些；由于尖阴极发射电源面积很小100nm左右,没有明显的电子源,因此使用虚电子源作为电子光学系统设计的初始物而存在,电子虚源直径一般在2~20nm,电子枪亮度相比钨灯丝提高上千倍.当束斑尺寸缩小到1nm以下时依然具有足够强的探针电流来获得足够的成像信号,因此分辨率高,当前最佳的场发射扫描电镜分辨率实现了亚纳米级别.

4、系统真空度不同及优劣

钨灯丝扫描电镜使用一般的高真空,两级真空泵系统获得0.001pa的真空度即可满足,因此造价低.

场发射扫描电镜使用超高真空,需要三级真空泵必须获得0.0000001Pa以上的真空度才可以稳定工作.原因在于电子枪尖阴极不耐较低的真空中被电离的离子轰击,否则枪尖很容易被扫平而失效,这时候的性能还不如钨灯丝,其次电子枪阴极尖端在较低的真空下,吸附的气体分子会急剧加大阴极材料的表面势垒,造成电子枪发射不稳,亮度降低,所以必须使用超高真空一般是10的-8次方.超高真空系统的造价明显比钨灯丝高很多.超高真空的洁净度要好于钨灯丝的一般高真空,因此很长时间,也就是在灯丝寿命内,系统可以免清洗和维护.钨灯丝扫描电镜相对维护周期要短一些.

5、钨灯丝和场发射是具有明显档次差异的,这也从价格上明确反映.钨灯丝扫描电镜十几万,场发射几十万,都是美元.国内目前只能制造最低档次的钨灯丝扫描电镜.

以上定性表达,具体数据还望查阅有关资料

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