SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

二次电子信号来自于样品表面层5～l0nm,电子与样品原子的核外电子作用，一部分能量转移到原子，导致原子中的一个电子被逐出而产生二次电子。二次电子信号强弱与样品表面粗糙度有关，可利用二次电子成像的模式-SEI模式观察样品表面形貌。

电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞，电子方向发生改变，但无能量损失，这样的电子叫背散射电子。背散射电子信号强弱与样品原子的原子量有关，可利用背散射电子成像的模式-BSE模式观察样品表面元素分布情况。

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