在sem实验中为什么要特别注意样品导电问题

如果高分子样品导电性很差，在做sem时表面电荷累积，使得画面发白，分辨率下降。这时候可以在表面蒸镀上一层很薄的金或者碳，提高材料的导电性。当然，碳和金层必须非常薄，不影响材料原有性质。

复电阻率（CR）法测得的频谱包含了由导电性引起的近场区电磁谱（SEM）和由电极化性引起的激电谱（SIP），两种谱在频带上占据不同的位置。可用数学物理模型Cole-Cole模型和Cole-Brown模型反演拟合分离，求取多个SEM和SIP谱参数[1，2]。

在复电阻率法中观测到的电磁场（SEM）主要是近区场，场的区间划分依据感应数p的大小进行［3，4］：

电法勘探成果文集

均匀半空间上偶极-偶极排列的电磁相位谱研究表明：当p＜2时为近区场，p=2～7.6时为中区场，p＞7.6为远区场。其中近区场只与距离（r）有关，中区场与距离（r）和频率（f）两个因子有关，远区场仅与频率（f）有关。电偶源的各类电磁法，大多选用远区场工作（如MT法等），只要改变频率就能改变探测深度。复电阻率（CR）法主要为近区场，只有改变极距才能改变探测深度，是一种几何测深。由于近区场电磁谱（SEM）的强度大，并在频带上与SIP谱有部分重叠，在SIP法发展的前期一直把它作为干扰进行消除，SEM谱中包含的地下导电性变化的信息未被利用。通过对SEM谱进行的系统研究与开发，引入了多个重要的SEM参数———电磁电阻率ρω、相位极值比、视电磁充电率比，解决了近区场SEM谱的应用问题，并在实践中获得了较好的地质效果。

正演计算研究和实际应用表明：SEM参数具有明确的物理意义和量纲，与地下导电性结构的量值有关，对导电性目标体的异常响应灵敏度比视几何电阻率（ρS）高2～4倍，几何分辨率小于四分之一偶极距。由于近场区电磁参数主要与极距有关，用它们构成的拟断面是几何测深断面，便于与SIP参数所构成的几何测深断面对比；SEM参数的探测深度趋近于r／2，且受地表导电性不均匀的影响很小。

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