4H sic 晶格常数

晶格参数为0.3081 1.0093 

3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要：我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合（LCAO）法以及BZW程序，研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。对3C-SiC的初始总能量计算，找到了一个平衡晶格常数a=4.348 。计算出的电荷转移性质表明，在4H-SiC和 3C -SiC中，每一个硅原子失去约1.4个电子，被一个碳原子获得

酸与酯应该能络合的……以柠檬酸为造孔剂，利用硅酸乙酯溶胶-凝胶和碳热还原法制备出了高比表面积的纳米碳化硅（SiC）粉体。用TG、XRD、SEM以及BET分析方法对产品进行了表征，结果表明，添加了柠檬酸得到的SiC粉体比表面积可达到13～62m^2·g^-1，其大小可由柠檬酸与硅酸乙酯的物质的量比x（x=0．1）来控制；柠檬酸受热分解后留下的孔隙是制备高比表面积SiC的关键所在，当x为0．8，凝胶经1500℃碳热还原反应2h后，得到的产品比表面积高，粒径为100nm。

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