SEM用硅片含有氧元素吗

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现，在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。

本文利用HBr/Cl/He-O2反应气体对多晶硅进行反应离子蚀刻后，利用X射线光电子能谱(XPS)和电子显微镜(SEM)对表面形成的杯状流层进行了研究，为了查明蚀刻残留物的形成机制，从原来的混合气体成分中分别排除一种成分的反应气体，观察了其效果。同时，为了消除使用HBr/CI/He-O2混合气体冷却后形成的残留层，引入了湿法和干式工艺进行了比较。

通过SEM可以观察到活性炭的表观形貌及晶体结构，而无法判断含氧官能团的存在与否。因此，SEM图片中出现白色部分不能断定为含氧官能团导致，只是有这个可能，还可能是由于电镜扫描得出的图片本身就会出现明暗交织的图像。

一般的处于空气中的易燃物,在着火状况下,现场含氧量低于16%时,便不足以维持其燃烧,含氧量低于15%,就会熄灭。

电子级硫酸按照超净高纯试剂SEMI国际标准等级划分，可分为G1、G2、G3、G4、G5五个类别，其中，G1属于低档产品，G2属于中低档产品，G3属于中高档产品，G4和G5属于高档产品，G2、G3、G4、G5四个等级分别对应国内产品纯度等级UP、UP-S、UP-SS、UP-SSS。

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