irf740场效应管参数

IRF740参数如下：

晶体管极性：N沟道；

漏极电流, Id 最大值：10A (at 25℃)；

电压, Vgs 最大：20V；

开态电阻, Rds(on)：典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=5.3A）；

电压最高：400V；

功耗：2.5W；

封装类型：TO 220；

针脚数：3；

晶体管类型：MOSFET；

满功率温度：25°C。

IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

它是一种N沟道场效应管（绝缘栅型）晶体管，参数如下：

极性:N沟道；

漏极电流（ Id）最大值: 10A (at 25℃)

电压,（Vgs） 最大值:20V

开态电阻（ Rds(on)）: 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V，Id=5.3A

电压, （Vds）最高:400V

功耗（P）:2.5W

封装类型:TO 220

针脚数:3

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

扩展资料

IRF740是新系列低电荷Power MOSFET 其比传统MOSFETs有着明显更低的栅电荷。利用了新型的LCDMOS技术，使他的性能得到增强并且不要增加成本，大大简化栅极驱动需求，节省系统总体开销。并且，在高频应用中，它减少了转换损耗，使效能得到强化。

它使用了TO-220封装，让他的功耗可以保持在50W左右，大量应用于工商业应用，这种封装有低热阻和低成本的特点，让它得到业内的普遍认可。此外，使用SMD-220封装的IRF740还适用于贴片安装，和现有的任何其他贴片封装比起来，都可以称为功率最高，导通阻抗最低。这种封装的IRF740还可适应高强度电流的应用。

参考资料

百度百科-IRF740

---