1.P型：Positive，P+，多子为空穴+； N型：Negitive，N-，多子为电子-； 2.图形符号：箭头永远为P指向N，与虚线的交点处是什么就是什么型MOS； 3.为什么叫反型层？ 因为对NMOS而言，衬底为P型硅

IRF740参数如下：晶体管极性：N沟道；漏极电流, Id 最大值：10A (at 25℃)；电压, Vgs 最大：20V；开态电阻, Rds(on)：典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=5.3A）；电压最高：400V；

场效应管现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小.场效应管是一

1、电瓶的正负极接反了。2、305V的滤波电容、整流二极管需要检测。3、所换用的开关管参数不符合原配管子的参数或不是参数相当与原配管子的正品管子。4、充电器内电路存在虚焊。从型号区分 场效应管型号如IRF .........三极管型

1、电瓶的正负极接反了。2、305V的滤波电容、整流二极管需要检测。3、所换用的开关管参数不符合原配管子的参数或不是参数相当与原配管子的正品管子。4、充电器内电路存在虚焊。从型号区分 场效应管型号如IRF .........三极管型

楼下误导。75NF75是 ST的 75V,75A 场效应管，理论上说75NF75更好。不过75NF75只适用于48V或者36V控制器，用于60V以上的控制器则不够用，容易击穿。如果你要做60V或者72V控制器，建议你要用100V,100

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左

维修经验表示不可以。参考下面经历过的人的原文：“修好了，那块芯片型号是SEM3040。上一位师傅怎么可以用FAN7530直接代换真是弄不懂他了，害我找遍了网络，才发现只有SEM3040和实物图相近，果断网购了几片今天到货装上通电再没有嗒嗒声

维修经验表示不可以。参考下面经历过的人的原文：“修好了，那块芯片型号是SEM3040。上一位师傅怎么可以用FAN7530直接代换真是弄不懂他了，害我找遍了网络，才发现只有SEM3040和实物图相近，果断网购了几片今天到货装上通电再没有嗒嗒声

逻辑板想要代替的话，首先要使用相应型号的版面进行替代。逻辑板是由液晶屏厂家或配套厂家提供的，所以逻辑板的代换要做到接口引脚功能相同，供电电压一致。sd6834完全可以代换sd6832。6834功率大于6832，基本参数一致。6834:10A

逻辑板想要代替的话，首先要使用相应型号的版面进行替代。逻辑板是由液晶屏厂家或配套厂家提供的，所以逻辑板的代换要做到接口引脚功能相同，供电电压一致。sd6834完全可以代换sd6832。6834功率大于6832，基本参数一致。6834:10A

芯片分析EIPD的什么意思可靠性分析+关注芯片分析手段：1 C-SAM（超声波扫描显微镜），无损检查：（1）。材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．（2） 内部裂纹。 （3）分层缺陷。（4）空洞，气泡，空隙等。2 X－Ray（这两者

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G极是在绝缘层上覆盖一层金属并引出的电极就是栅极源极S和漏极D区分，只是个人分析找极法：一般有NMOS增强型是在栅极G，源极S上加上的正极，用万能表可以测得，剩下的就是漏极D了，NMOS耗尽型应该也是！N型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极D

楼下误导。75NF75是 ST的 75V,75A 场效应管，理论上说75NF75更好。不过75NF75只适用于48V或者36V控制器，用于60V以上的控制器则不够用，容易击穿。如果你要做60V或者72V控制器，建议你要用100V,100

楼下误导。75NF75是 ST的 75V,75A 场效应管，理论上说75NF75更好。不过75NF75只适用于48V或者36V控制器，用于60V以上的控制器则不够用，容易击穿。如果你要做60V或者72V控制器，建议你要用100V,100