MOS管 二极管 PN结

1.P型：Positive，P+，多子为空穴+；

N型：Negitive，N-，多子为电子-；

2.图形符号：箭头永远为P指向N，与虚线的交点处是什么就是什么型MOS；

3.为什么叫反型层？

因为对NMOS而言，衬底为P型硅，P为多子，但是当UGS》0时，在衬底与栅极接触面会形成薄薄的N型薄层，叫做P型衬底的反型层。

4.什么是PN结？

5.PN结的正接与反接？

P（+）接正极，N（-）接负极为正接，反之为反接。

扩散电流才是主流；漂移电流即为反向电流，随温度变化而急剧变化。

6.二极管和PN结关系？

二极管由PN结加上引线和管壳组成。

7.本专栏另一篇文章是讲绝缘栅型场效应管IGFET，绝缘指的是栅极与沟道之间处于绝缘状态。

8.具体N或P沟道理解：沟道就是反型层，即少子形成的导电层。以N沟道为例，N沟道说明N为少子，P为多子，所以P为基底，两侧N为源极或漏极。P沟道理解与此相似。

9.耗尽型或增强型理解：

增强型：UGS=0时，无导电沟道；加电UGSth后，形成导电沟道。

耗尽型：UGS=0时，管内已建立沟道，加上漏源电压后，便会产生漏极电流ID。加上适当极性的UGS，ID就逐渐减小（耗尽）。

10.耗尽层就是指PN结的空间电荷区。

二极管参数符号：

CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- ；发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

Ⅳ---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

△VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

扩展资料：

其他参数：

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；而二极管也是只有一‘半’电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。

参考资料：

二极管-百度百科

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