SnO2晶体具有正四面体的金红石结构,阴阳离子配位数为6∶3,每个锡离子都与6个氧离子相邻,每个氧离子都与3个锡离子相邻。在SnO2中掺入锑离子后,占据了晶格中Sn4+的位置,形成一个一价正电荷中心SbSn和一个多余的价电子,使净电子增加,形成n-type半导体,晶粒电导率增大,从而使SnO2及其掺杂得到的粉末制成膜以后在保持高可见光透过率的同时,显示出类似于金属的电导性能和高红外光反射率等优良特性。且由于ATO是一种n-type半导体,根据经典Drude理论,导电性最佳的纳米ATO粒子具备最优的红外线屏蔽性能。
何秋星等提出ATO粒子的隔热作用是基于其对红外光的吸收。黄宝元等通过较长时间的隔热效果测试和光谱性能表征,认为ATO颗粒在红外区域是以吸收为主,反射为辅。Qu等认为纳米ATO透明隔热涂层的隔热机理是当太阳辐射到达涂层表面时,大部分近红外光和极少部分可见光被吸收,因而涂层表面温度升高;同时,绝大部分可见光和极少的近红外光会透过涂层进入室内,如此在使得室内温度降低的同时仍能保持在可见光区良好的透光率。此外,由于其在远红外区域的低发射率,在以采暖为主的节气或冬季使用时,该涂层可以有效地阻止房间内的热量向外散失。
化妆品方面的应用:SnO2作为掺杂材料,利用纳米SnO2粉体的红外反射性能,结合纳米TiO2粉体吸收的紫外光的特点,掺杂有TiO2的纳米SnO2粉体,具有抗红外和抗紫外的特点,制出的化妆品更能起到保护皮肤的作用。
电学性能简述:
纳米SnO2是典型的n型半导体,其Eg=3.5eV(300K),具有比表面大、活性高、熔点低、导热性好等特点,在气敏材料、电学方面、催化剂、陶瓷及化妆品方面应用比较多。
SnO2是目前广泛应用的一种半导体气敏材料,普通SnO2粉为基体材料制成的烧结型电阻式气敏元件,对多种还原性气体具有很高的灵敏度,但器件的稳定性和一致性等方面还不令人满意。SnO2纳米粉体在陶瓷工业中可用作釉料和搪瓷乳浊剂。在电学方面,抗为静电剂显示出比其它抗静电材料较大的优越性,并且在光电显示器、透明电极、太阳能电池、液晶显示、催化等方面有很大优点。
此外,纳米二氧化锡复合材料也是目前开发的一个热点,在制备SnO2材料的过程中,通过添加少量的掺杂剂,来改善其选择性和降低电阻率。
其实,SEM只能知道局部的大致粒径,并不能得到粒径分布的完整信息。做粒径分布测试应该通过激光粒度仪来完成,可以输出完整的粒径分布曲线报告。另外,要对经过分散的颗粒(液相)进行SEM拍照,需要再做涂膜后干燥才能操作,实际上在干燥的过程中,再小的纳米颗粒都会重新团聚到一起了,基本上拍出来的照片看到的应该都是微米级的了。要得到纳米材料的真实情况照片,必须保持分散液状态来做电镜扫描。
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