irf740场效应管参数

IRF740参数如下：

晶体管极性：N沟道；

漏极电流, Id 最大值：10A (at 25℃)；

电压, Vgs 最大：20V；

开态电阻, Rds(on)：典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=5.3A）；

电压最高：400V；

功耗：2.5W；

封装类型：TO 220；

针脚数：3；

晶体管类型：MOSFET；

满功率温度：25°C。

IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

它是一种N沟道场效应管（绝缘栅型）晶体管，参数如下：

极性:N沟道；

漏极电流（ Id）最大值: 10A (at 25℃)

电压,（Vgs） 最大值:20V

开态电阻（ Rds(on)）: 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V，Id=5.3A

电压, （Vds）最高:400V

功耗（P）:2.5W

封装类型:TO 220

针脚数:3

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

扩展资料

IRF740是新系列低电荷Power MOSFET 其比传统MOSFETs有着明显更低的栅电荷。利用了新型的LCDMOS技术，使他的性能得到增强并且不要增加成本，大大简化栅极驱动需求，节省系统总体开销。并且，在高频应用中，它减少了转换损耗，使效能得到强化。

它使用了TO-220封装，让他的功耗可以保持在50W左右，大量应用于工商业应用，这种封装有低热阻和低成本的特点，让它得到业内的普遍认可。此外，使用SMD-220封装的IRF740还适用于贴片安装，和现有的任何其他贴片封装比起来，都可以称为功率最高，导通阻抗最低。这种封装的IRF740还可适应高强度电流的应用。

参考资料

百度百科-IRF740

MOS管嘛也是场效应管的一种，分结型和绝缘栅型，结型和绝缘栅型又各分为NMOS和PMOS，然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理相同，只是电源极性相反。 主要参数记住以下几点：Idss ：饱和漏源电流，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流Up ：夹断电压，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

Ut ：开启电压，是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压

gM ：跨导， 此乃衡量场效应管放大能力的重要参数.

BVDS ：漏源击穿电压，是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压

PDSM：最大耗散功率，也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率IDSM ： 最大漏源电流，是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流 DC/DC转换器是一种开关型稳压电源，一般分为四种：

（1） 极性反转式：其特点是输出电压的极性正好与输入电压相反。特点是Vo=－VI，二者的绝对值相同。除此之外，还有输出固定负压、可调负压两种。

（2） 升压式：其特征是VO>VI,变换器具有提升电源电压的作用。

（3） 降压式：利用变换器来降低电源电压，使VO<VI 。

（4） 低压差集成稳压器。这类集成稳压器的输入－输出压差低于0.5～0.6V，甚至在0.1V左右的压差下已能正常工作，能显示提高稳压电源的效率。

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