sem和tem在功能上有何区别?

SEM，全称为扫描电子显微镜，又称扫描电镜，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全称为透射电子显微镜，又称透射电镜，英文名Transmission Electron Microscope.

区别：

SEM的样品中被激发出来的二次电子和背散射电子被收集而成像. TEM可以表征样品的质厚衬度，也可以表征样品的内部晶格结构。TEM的分辨率比SEM要高一些。

SEM样品要求不算严苛，而TEM样品观察的部分必须减薄到100nm厚度以下，一般做成直径3mm的片，然后去做离子减薄，或双喷（或者有厚度为20~40μm或者更少的薄区要求）。

TEM可以标定晶格常数，从而确定物相结构；SEM主要可以标定某一处的元素含量，但无法准确测定结构。

SEM描电镜主要应用于微观形貌、颗粒尺寸、微区组成、元素分布、元素价态和化学键、晶体结构、相组成、结构缺陷、晶界结构和组成等。SEM一般通过搭配能谱仪EDS使用,可利用EDS进行元素成分定性、定量分析。用来观测芯片内部层次和测量各层厚度、观测并拍摄局部异常照片和测量异常尺寸、测量芯片关键尺寸线宽和孔径、定性和定量分析异常污 染物的化学元素组成。

就定量来说，SEM点分析比线分析和面分析更准确，扫描的方式不同，线分析和面分析只能定性的分析观察视场的元素分布情况（线分析是沿着某个界面的元素分布起伏，而面分析是看整个视场的元素分布情况），点分析可以基本定量分析元素。SEM/EDS是扫描电子显微镜和X-射线能量色散谱仪的简称，两者组合使用，功能非常强大，既能观察微区的形貌又能对微区进行成分分析，在各类分析工作中被广泛运用。EDS mapping时间就长的多了，尤其是如果想得到比较确定的数据的话，一个线扫就可以耗费半个小时。EDS mapping的分辨率不仅取决于束斑尺寸，由于收集时间比较长，样品漂移的影响更大，所以比eels mapping 差不少。

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