选购内存要注意哪些方面？

注意多看网站上教你的识别方法

先认准你想买的内存

然后学学就可以

买内存要注意什么－内存选购一览

当今世界科技发展速度越来越快，让人应接不暇。目前内存内存市场上各种品牌群雄争鹿，虽然有DDRII内存投放到市场中，但是性价比并不高，因此DDR内存仍然是目前的主流产品。在品牌繁杂的DDR内存中，要选购一款性能、价格各方面都不错的DDR内存，就有许多方面需要额外留意。我们经常在各硬件论坛和网站上看到一些典型的问题出现，‘哪种内存速度最快？’，‘我应该买哪种内存？’，其答案也杂乱无章，有的人推荐速度最快的内存模块，有的人则列举不同类型的内容让你自己来选择；很难说有人能够将自己系统的性能达到最优化，并且保持精明的消费观念。

如今市面上有各种类型不同速度的DDR内存。最常见的就是：PC2700（DDR333）、PC3200（DDR400）、PC4000（DDR500）和最新推出的PC4500（DDR566），这四类DDR是目前使用最多的主流型号，其它的还有PC3500（DDR433）、PC4300（DDR533）等较少使用的内存。这些都是JEDEC（电子电气设备联合会）根据DDR的传输速率命名的。在推出PC3200(DDR400)标准后，JEDEC没有再推出后续标准，所以从严格意义上讲，DDR400是最后的官方版本，但是由于DDR500等高频内存的良好性能因此也得到了广泛的应用。

我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是。金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验的CAS=2.5的256M内存。

我想通过以上的方法，更能方便大家对于内存的理解和选购。接下来我们在具体看看一些DDR的常见问题：

1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？

单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。

2.内存的2-2-3通常是什么意思？

这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。

3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？

什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的DDRII，而是一种可以让2条DDR内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P4处理器的好处可谓不言而喻。400MHz 前端总线的P4A处理器和主板传输数据的带宽为3.2GB/s，而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了4.3GB/s，而P4C处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6.4G的内存带宽。但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333本身仅具有2.7G B/s的带宽。DDR400也只能提供3.2G /s的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400的内存，理论上提供2倍DDR400的带宽。将从而根本的解决了CPUCPU和内存之间的瓶颈问题。

目前在市场上随便找一根内存装到机上都极少出问题。但是你为此是否多花了钱或是买到的产品是否符合自己要求，那就是本文所说的要考虑问题了。对内存进行导购，我们有必要了解一下内存市场发展的趋势，还有市场上用户经常能购买到的产品。在内存的品牌及性能要求的选购方面，我们也要综合各方面的因素去考虑，也只有这样，才能做购买到最具性价比及最令自己满意的产品。

以前内存市场保持着一种两极分化的现象：高端用户买名牌内存，而低端的用户则选择散装的HY之类的产品。在当时，品牌内存也几乎成了品质与性能的象征，受到DIY用户的推崇，并以高高在上的价位与散装内存划清了界线。自去年底台系及国外各内存品牌竞相登陆全国各地后，国内市场出现了百花齐放的现象。除了老牌子的金士顿，Kingmax和外，威刚、Ramos、超胜，宇瞻及更多的台系品牌的产品也开始逐渐摆上内存零售商的柜台，进而造就了内存市场倾向于品牌化的趋势。

由于散装内存条的假货多，质量相对不稳定，也使得用户及商家对这些产品失去了信心，开始投向品牌内存的怀抱，这也是加速了内存产品品牌化的进程。各品牌内存之间的竞争也带来了价格上的竞争，部分品牌的产品更是接近了散装HY内存的价位，从而使得品牌内存平民化得到推动，并最终受惠的是消费者。试想一下，一根品牌内存的价格与一根散装HY内存的价差只有十几元，你会选择哪种？当然是品牌内存了。

因此，可以说，内存市场的产品品牌化已经是目前的消费趋势所在。由多品牌之间的竞争最终导致了部份品牌内存的价格与散装内存的价格接近甚至持平，最终品牌内存将会成为内存市场的绝对主流。

目前市场上的比较主流的内存品牌大致有以下几个：

金士顿

金士顿内存在市场常见的是其ValueRam系列。该品牌内存的性能，品质与兼容性一直深得广大DIY用户的推崇。在价格方面金士顿内存的价格定位到高端，与普通品牌内存高出约三四十元，但凭其优越的品质及终身保固的售后服务承诺使很多用户都认为那几十块钱花得很值。但是值得关注的是，目前金士顿内存的假货相当多，仿冒手段也越来越高明，因此消费者要购买时要多加小心，建议到其专卖店选购。

宇瞻

宇瞻科技为台湾宏基电子旗下的子公司，是世界四大内存生产厂商之一。宇瞻内存早在SD时代已经有着不错的超频口碑及优秀的做质量。大家留意上图的内存CL参数。宇瞻该款DDR400内存的CL参数为2.5相对市场上绝大部分DDR400内存所标称的CL=3，也足以证明其产品的性能与超频潜力。在价格方面，宇瞻内存一般比KingMax低十元左右。而在此价位上，凭借其不俗的性能与终身保固的服务承诺，其性价比无可质疑。

威刚

威刚科技是台系内存厂商中著名的品牌，从2001年建立到现在，已经成长为亚洲第一，世界第四大内存生产厂商。其桌面级产品主要有A-DATA和V-DATA两个系列。其中以V-DATA系列内存在市场上比较常见。威刚内存的做工与用料十分到位，与其价格定位显得相当合衬，可谓低价内存中的杀手级产品。在质保方面，威刚内存提供了三年包换，终身保固服务。面向高端的A-DATA系列则受到许多发烧友的喜爱，出色的超频稳定性为这些玩家所称道。

Ramos

RAmos内存为韩国与深圳胜现科技合作推出的内存品牌。据称，其内存芯片品质与三星原厂芯片并驾齐驱，有新三星之称。到底Ramos是否能与三星金条一较高下，这个有待考证，从其产品做工与用料方面，还是比三星金条有一定的差距。但是其最大优势在于其价格方面。同规格的产品，Ramos内存只比普通散装内存贵几块钱，在低端市场非常有杀伤力。同时在质保方面也没因低价格而缩水，三年免费质保服务足以令人放心。

超胜

超胜内存是香港超胜科技所推出的内存品牌。其主要针对于DIY市场及超频发烧友。尤其是其采用HY D43颗粒的内存，更是受到广大超频用户的一致推崇。在自身价格定位方面，超胜内存的价格与KingMax的价格相当，但以其品牌的知名度相比，受市场关注度稍逊一筹了。价格上去了，服务也不差，超胜内存的质保方针是三年包换，终身质保。

对内存的选购，我们主要考虑到以下几个因素：超频性能、质保承诺，质量问题和价格因素。其中内存的超频性能的考虑，是部分发烧友的话题，而后面的三个要考虑到的因素才是广大消费用真正要考虑到的问题。内存品牌繁多，你选哪个？

内存超频性能

部分DIY用户在购买内存时难免会考虑内存的可超频性。由于目前大部分内存品牌使用的芯片并非自己生产，而是后期购入后打磨成自己的品牌（有些产品甚至直接组装好上市），有时候很难看出哪一批内存是采用什么牌子和批次芯片的。因此很难判断哪个品牌的超频性能绝对好。在品牌方面，超频口碑相对较好的有金士顿、宇瞻，及价格昂贵的海盗旗等。内存的超频潜力主要还是与其芯片的质量有关，如年中最受超频用户欢迎的HY D43颗粒就很受欢迎。其它品牌的内存也说不上不好超，若是采用了超频能力强的芯片，能超到理想频率的机率也很大。

但是，对于大部分购买内存的朋友来说，超频不是必要的，超频性能好与内存在正常使用下的稳定性没有必然的联系。一般情况下，只需选择适合自己的内存规格就可以。

售后服务

目前各品牌内存都提供了至少三年的免费质保服务，有些品牌更是提出了终身质保的承诺，虽然有些模棱两可待求证，但是三年的免费质保也足够让用户放心。在产品故障方面，如金士顿等厂商在出厂商对内存进行了百分百测试，出故障机率相当小，再者，内存的出故障机率在整机中仅高于CPU，总体上返修率很低。另一方面，市场上专门经营内存维修的店也不少，而且价格很低，笔者认为，消费者在选购时不必要将其质保作为首要考虑因素。

质量与性能

内存质量包括内存颗粒质量和PCB板质量及相关的电子元件质量。所谓一分钱一分货，内存产品的质量从其产品价格上略知一二。但低价不代表低质。由于目前内存条的生产技术已经相当成熟，低价的内存产品虽然在做功用与料方面要比高端产品略逊，但也极少出现因产品质量而引起的不稳定问题。就如对上文说的，品牌内存的出故障机率相当低，消费者对品牌的内存质量不必过分担心。而在产品性能方面。不同品牌之性能因其SPD中设置的延时值等的不同，性能仍有微小的差距，性能仍是有微小的差距，不过并没有传闻是相关的巨大，除非是做测试看数据，否则在大部分应用中这些相差的性能几乎可以忽略。另一方面，某一品牌由于其不同批次的产品采用的芯片不同，对SPD的设置也未必相同，若是真要考虑这方面的朋友，除了看品牌外，在实际选购时也不要忘了看清这方面的参数，然后令人遗憾的是，在内存规格中标出这些相关参数的厂商并不多。

产品价格

实际上，很多消费者在选购内存时比较受自身的品牌倾好影响比较大。这个是个人的喜好问题，与产品价格扯不上。内存产品的选购，无非是针对用户的自身要求而定。高要求者，选择高标准的产品，而普通用户，则没有太大的必要为一线产品的高价格买单，普通产品也不会影响到日常的使用。

台式机内存类型(术语解释)

指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。

SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。

与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR2的详解

RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。

RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。

普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

服务器内存

服务器内存也是内存(RAM)，它与普通PC（个人电脑）机内存在外观和结构上没有什么明显实质性的区别，主要是在内存上引入了一些新的特有的技术，如ECC、ChipKill、热插拔技术等，具有极高的稳定性和纠错性能。

服务器内存主要技术：

(1)ECC

在普通的内存上，常常使用一种技术，即Parity，同位检查码（Parity check codes）被广泛地使用在侦错码（error detectioncodes）上，它们增加一个检查位给每个资料的字元（或字节），并且能够侦测到一个字符中所有奇（偶）同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。基于上述情况，产生了一种新的内存纠错技术，那就是ECC，ECC本身并不是一种内存型号，也不是一种内存专用技术，它是一种广泛应用于各种领域的计算机指令中，是一种指令纠错技术。ECC的英文全称是“ Error Checking and Correcting”，对应的中文名称就叫做“错误检查和纠正”，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。之所以说它并不是一种内存型号，那是因为并不是一种影响内存结构和存储速度的技术，它可以应用到不同的内存类型之中，就象前讲到的“奇偶校正”内存，它也不是一种内存，最开始应用这种技术的是EDO内存，现在的SD也有应用，而ECC内存主要是从SD内存开始得到广泛应用，而新的DDR、RDRAM也有相应的应用，目前主流的ECC内存其实是一种SD内存。

(2)Chipkill

Chipkill技术是IBM公司为了解决目前服务器内存中ECC技术的不足而开发的，是一种新的ECC内存保护标准。我们知道ECC内存只能同时检测和纠正单一比特错误，但如果同时检测出两个以上比特的数据有错误，则一般无能为力。目前ECC技术之所以在服务器内存中广泛采用，一则是因为在这以前其它新的内存技术还不成熟，再则在目前的服务器中系统速度还是很高，在这种频率上一般来说同时出现多比特错误的现象很少发生，正因为这样才使得ECC技术得到了充分地认可和应用，使得ECC内存技术成为几乎所有服务器上的内存标准。

但随着基于Intel处理器架构的服务器的CPU性能在以几何级的倍数提高，而硬盘驱动器的性能同期只提高了少数的倍数，因此为了获得足够的性能，服务器需要大量的内存来临时保存CPU上需要读取的数据，这样大的数据访问量就导致单一内存芯片上每次访问时通常要提供4（32位）或8（64位）比特以上的数据，一次性读取这么多数据，出现多位数据错误的可能性会大大地提高，而ECC又不能纠正双比特以上的错误，这样就很可能造成全部比特数据的丢失，系统就很快崩溃了。IBM的Chipkill技术是利用内存的子结构方法来解决这一难题。内存子系统的设计原理是这样的，单一芯片，无论数据宽度是多少，只对于一个给定的ECC识别码，它的影响最多为一比特。举个例子来说明的就是，如果使用4比特宽的DRAM，4比特中的每一位的奇偶性将分别组成不同的ECC识别码，这个ECC识别码是用单独一个数据位来保存的，也就是说保存在不同的内存空间地址。因此，即使整个内存芯片出了故障，每个ECC识别码也将最多出现一比特坏数据，而这种情况完全可以通过ECC逻辑修复，从而保证内存子系统的容错性，保证了服务器在出现故障时，有强大的自我恢复能力。采用这种内存技术的内存可以同时检查并修复4个错误数据位，服务器的可靠性和稳定得到了更加充分的保障。

(3)Register

Register即寄存器或目录寄存器，在内存上的作用我们可以把它理解成书的目录，有了它，当内存接到读写指令时，会先检索此目录，然后再进行读写操作，这将大大提高服务器内存工作效率。带有Register的内存一定带Buffer(缓冲)，并且目前能见到的Register内存也都具有ECC功能，其主要应用在中高端服务器及图形工作站上，如IBM Netfinity 5000。

服务器内存典型类型

目前服务器常用的内存有SDRAM和DDR两种内存。

在计算机诞生初期并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管组成的一个双稳态电路作为一比特（BIT)的存储器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一间的机房只能装下不超过百k字节左右的容量。后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。那时的内存芯片容量都特别小，最常见的莫过于256K×1bit、1M×4bit，虽然如此，但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了。

内存条的诞生

内存芯片的状态一直沿用到286初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。

在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了“内存条”概念。

在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、 256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。

随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。

EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速页面模式存储器）极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU 的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的 486及早期的Pentium电脑上。

在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须成对使用。

SDRAM时代

自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。

第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。

不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。

尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。

在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。

尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。

DDR时代

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。

DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代 DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400 内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。

DDR2时代

随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。

DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、 667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。

内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与 RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。

PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重

要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

3．RDRAM

Intel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB／s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB／s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus 公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2＝800MHz，理论带宽为 (16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

DDR3时代

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到 800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。

一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的 1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

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