CPU nm指的是制造CPU或GPU的制程,或指晶体管门电路的尺寸,单位为纳米(nm)。目前主流的CPU制程已经达到了14-32纳米,更高的在研发制程甚至已经达到了7nm或更高。
越小的nm表示更先进的制造工艺,更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管,使处理器具有更多的功能以及更高的性能。
更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗(TDP),从而解决处理器频率提升的障碍。
扩展资料:
英特尔45纳米高K技术能将晶体管间的切换功耗降低近30%,将晶体管切换速度提高20%,而减少栅极漏电10倍以上,源极向漏极漏电5倍以上。这就为芯片带来更低的功耗和更持久的电池使用时间,并拥有更多的晶体管数目以及更小尺寸。
2007年,英特尔发布第一款基于45纳米的四核英特尔至强处理器以及英特尔酷睿2至尊四核处理器,带领世界跨入45纳米全新时代。
参考资料来源:百度百科-nm (纳米简写)
参考资料来源:百度百科-制造工艺
两种相比较而言14纳米的好一些。
纳米是指CPU或GPU的制造过程,或晶体管栅极电路的尺寸,单位为纳米。
14纳米和22纳米之间的区别如下:
区别一:不同的制造工艺。
制造工艺,代度表集成电路规模。在相同的芯片面积下,用14nm工艺描述的电路自然比22nm复杂。
区别二:不同的功耗。
英特尔的14nm处理器是第五代Broadwell和第六代skylake。与Haswell和22nm工艺相比,其性能提高了10%,功耗进一步降低。工艺越小,功耗越低。
区别三:不同的表现。
更先进的制造技术可以安装更多的晶体管,大大提高性能。CPU制造过程又称为CPU过程,其先进性决定了CPU的性能。
芯片14nm即在生产CPU过程中,集成电路的精细度为14。密度愈高的IC电路设计,意味着在同样大小面积的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术,作为一个单位印刷,而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。欢迎分享,转载请注明来源:夏雨云
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