SEM 实验

SEM 实验,第1张

烧结试样的 SEM 分析采用日本日立公司生产的 S-520 扫描电子显微镜完成。首先将试样的新鲜断裂面在 IB-3 离子溅射渡膜仪中喷渡厚度约为 10 ~20 nm 的金,对结构致密的部分试样断裂面采用 40%浓度的氢氟酸 ( HF) 侵蚀 20min 后进行镀金,然后放入 SEM样品室内进行观察,电子枪电压采用 20kV,电子束流为 150 mA,并用照相方式记录样品的二次电子图像 ( 或称之为形貌像) 。

如果高分子样品导电性很差,在做sem时表面电荷累积,使得画面发白,分辨率下降。这时候可以在表面蒸镀上一层很薄的金或者碳,提高材料的导电性。当然,碳和金层必须非常薄,不影响材料原有性质。


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