sem的eds和mapping什么区别

sem的eds和mapping什么区别,第1张

就定量来说,SEM点分析比线分析和面分析更准确,扫描的方式不同,线分析和面分析只能定性的分析观察视场的元素分布情况(线分析是沿着某个界面的元素分布起伏,而面分析是看整个视场的元素分布情况),点分析可以基本定量分析元素。

SEM/EDS是扫描电子显微镜和X-射线能量色散谱仪的简称,两者组合使用,功能非常强大,既能观察微区的形貌又能对微区进行成分分析,在各类分析工作中被广泛运用。

EDS mapping时间就长的多了,尤其是如果想得到比较确定的数据的话,一个线扫就可以耗费半个小时。EDS mapping的分辨率不仅取决于束斑尺寸,由于收集时间比较长,样品漂移的影响更大,所以比eels mapping 差不少。

SEM是扫描电子显微镜,最高可放大至20万倍左右,用二次电子成像的原理来观察某种物质的微观形貌。EDS是能谱仪,是每种元素对应的电子能不同,来鉴别元素,通常是和SEM结合使用,也就是说在SEM上安装EDS附件,在观看形貌时,选择一定区域用EDS打能谱,也就知道了该区域的元素组成。XRD是X射线衍射仪,其原理是高压下,阴极发出的电子形成高能电子束,轰击阳极靶材(通常是Cu),靶材的内部电子能量升高,被激发出来,当它回到基态的过程中,多余的能量以X射线、俄歇电子等形式释放出来。XRD收集的是其中的X射线,X射线扫到样品上,会根据布拉格方程产生衍射角,衍射峰。每种物质(不同样品)的衍射峰不同,因此通常用来鉴别物相,也会根据峰面积算半定量。

SEM,全称为扫描电子显微镜,又称扫描电镜,英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM,全称为透射电子显微镜,又称透射电镜,英文名Transmission Electron Microscope.

区别:

SEM的样品中被激发出来的二次电子和背散射电子被收集而成像. TEM可以表征样品的质厚衬度,也可以表征样品的内部晶格结构。TEM的分辨率比SEM要高一些。

SEM样品要求不算严苛,而TEM样品观察的部分必须减薄到100nm厚度以下,一般做成直径3mm的片,然后去做离子减薄,或双喷(或者有厚度为20~40μm或者更少的薄区要求)。

TEM可以标定晶格常数,从而确定物相结构;SEM主要可以标定某一处的元素含量,但无法准确测定结构。


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