登陆界面没反应原因如下：1.网络信号不好，多试试登陆几次或者等一段时间等即可。2.登陆人数过多，服务器处理慢，不要离开登陆界面等一会就好了。3.关闭界面，重启电脑，重新登录。4. 检查串口线是否正常工作，使用同一台PC同一条串口转接线连接V

Zn的金属性活泼远远强于Cu，因此Zn易失去电子，而Cu2+又很容易得到电子。在原电池体系下，负极(失去电子的一方）的Zn失去电子变成Zn2+,失去的电子经导线到达正极（得电子的一方）给了Cu2+，于是Cu2+得到电子被还原成Cu单质。图中

Zn的金属性活泼远远强于Cu，因此Zn易失去电子，而Cu2+又很容易得到电子。在原电池体系下，负极(失去电子的一方）的Zn失去电子变成Zn2+,失去的电子经导线到达正极（得电子的一方）给了Cu2+，于是Cu2+得到电子被还原成Cu单质。图中

（1）对清洗过后的溶液，进行稀释过后采用的是上清液做测试还是下层浓溶液测试（理论粒径为50nm和200nm）最好都测试一下，二者可能尺寸上面有区别。（2）银粉溶液制备成功以后，没有立即表征，遮光静置几天后，再做电镜表征，是否有影响只要排除对

常用的聚苯胺合成方法有化学氧化合成与电化学合成。化学氧化合成法适宜大批量合成聚苯胺，易于进行工业化生产；电化学合成法适宜小批量合成特种性能聚苯胺，多用于科学研究。化学氧化法通常是在酸性介质中，采用水溶性引发剂引发单体发生氧化聚合。合成主

常用的聚苯胺合成方法有化学氧化合成与电化学合成。化学氧化合成法适宜大批量合成聚苯胺，易于进行工业化生产；电化学合成法适宜小批量合成特种性能聚苯胺，多用于科学研究。化学氧化法通常是在酸性介质中，采用水溶性引发剂引发单体发生氧化聚合。合成主

氨水浓度，pH值，不同组分前驱体的反应控制，反应时间，反应气氛，固含量，反应温度，流量，杂质。前驱体对三元材料的生产至关重要，因为前驱体的品质（形貌、粒径、粒径分布、比表面积、杂质含量、振实密度等）直接决定了最后烧结产物的理化指标。可以这么

氨水浓度，pH值，不同组分前驱体的反应控制，反应时间，反应气氛，固含量，反应温度，流量，杂质。前驱体对三元材料的生产至关重要，因为前驱体的品质（形貌、粒径、粒径分布、比表面积、杂质含量、振实密度等）直接决定了最后烧结产物的理化指标。可以这么

摘要:一、保护措施必须符合的要求1.只和要保护的基团发生反应,和其他基团不反应2.反应较易进行,精制也比较容易3.保护基易脱除,在除去保护基时,不影响其他基团。二、常见的基团保护措施1.对羟基的保护在氧化时或某些在碱性条件下进行的反应中,往

摘要:一、保护措施必须符合的要求1.只和要保护的基团发生反应,和其他基团不反应2.反应较易进行,精制也比较容易3.保护基易脱除,在除去保护基时,不影响其他基团。二、常见的基团保护措施1.对羟基的保护在氧化时或某些在碱性条件下进行的反应中,往

《高等学校教材 光电材料》 黄书万编 这本书里 专门有一章讲到 硫化锌的光电性能！！！！ZnS 纳米束的电子输运性质研究为ZnS 纳米束在暗态(1)和光照(2)下的IV曲线图, 插图是一根纳米束组装到电极上的SEM图. 图中, 中间被隔断的

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还原出的钼粉氧含量可低于400ppm，但当粉体在进行卸料、筛分、混料而暴露在空气中时，不可避免会被自然氧化。粉体脱氧是获得低氧钼粉的方法。高温是降低氧含量最简单的方法，但通常需要在1300℃以上将粉体半烧结，然后在保护气氛下粉碎-过筛，这种

还原出的钼粉氧含量可低于400ppm，但当粉体在进行卸料、筛分、混料而暴露在空气中时，不可避免会被自然氧化。粉体脱氧是获得低氧钼粉的方法。高温是降低氧含量最简单的方法，但通常需要在1300℃以上将粉体半烧结，然后在保护气氛下粉碎-过筛，这种

1、药物与辅料的性质要相近进行粉末直接压片时，药物与辅料的堆密度、粒度及粒度分布等物理性质要相近，以利于混合均匀，尤其是规格较小、需测定含量均匀度的药物，必须慎重选择各种辅料。 2、不溶性润滑剂须最后加入用于粉末直接压片的不溶性润滑剂一

1、药物与辅料的性质要相近进行粉末直接压片时，药物与辅料的堆密度、粒度及粒度分布等物理性质要相近，以利于混合均匀，尤其是规格较小、需测定含量均匀度的药物，必须慎重选择各种辅料。 2、不溶性润滑剂须最后加入用于粉末直接压片的不溶性润滑剂一

混凝土的水化反应是指混凝土中的水泥里的孰料矿物与水发生的水化的反应，应属于化学反应，熟料中铝酸三钙C3A水化热最大；硅酸三钙C3S次之；硅酸二钙C2S水化热最小。大型基础、水坝、桥墩等大体积混凝土构筑物，由于水化热积聚在内部不易散失，内部温

SEM，全称为扫描电子显微镜，又称扫描电镜，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全称为透射电子显微镜，又称透射电镜，英文名Transmission Electron Microscope. 区别：

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯氦-氧、溴化氢氦-氧和溴化氢氯等不同气体混合物的影响，我们发现，在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性卤化硅化合物的反应引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶