您好，欢迎您使用惠普产品~这款惠普本能用低电压内存的，不过出厂自带的两条2G DDR3 1600MHz都是普通电压的，要换的话需要将两条都换成低电压内存才行，不能普通电压与低电压混用；而且添加低电压内存DDR3 1600后会自动降频到133

低电压内存与标压内存的区别如下：一、指代不同1、低压版本：采用优质元器件和先进技术，具有体积小，容量大，速度快，功耗低，散热好等特点。2、标压版本：在总线模式下进行读写的组件。二、特点不同1、低压版本：当大容量存储器保证相同容量时，它将产

低电压内存与标压内存的区别如下：一、指代不同1、低压版本：采用优质元器件和先进技术，具有体积小，容量大，速度快，功耗低，散热好等特点。2、标压版本：在总线模式下进行读写的组件。二、特点不同1、低压版本：当大容量存储器保证相同容量时，它将产

嘿嘿 这位同学应该刚刚接触到这个sem吧！简单的说吧——由于sem的成像原理是通过detecter获得二次电子和背散射电子的信号，而若样品不导电怎或造成样品表面多余电子或游离粒子的累积不能及时导走，一定程度后就反复出现充电放电现象（char

楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可以喷碳，这可以消除荷电问题，不妨碍形貌观察。如果不能喷涂导电膜，就得升级您使用的仪器：使用具有更高的低电压性能扫描电镜，玻璃水平放置，低电压在1kv-2kv之间找到合适的消除荷电的观察条件，或者玻

楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可以喷碳，这可以消除荷电问题，不妨碍形貌观察。如果不能喷涂导电膜，就得升级您使用的仪器：使用具有更高的低电压性能扫描电镜，玻璃水平放置，低电压在1kv-2kv之间找到合适的消除荷电的观察条件，或者玻

微晶玻璃的SEM，一般要看析晶区域和晶粒的形状、大小及分布区域性等微观形貌特征，对于感兴趣的晶粒，可以采用EDS点扫描来分析其元素组成，确切的相组成还要结合XRD分析或者TEM的选区电子衍射分析。楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可

微晶玻璃的SEM，一般要看析晶区域和晶粒的形状、大小及分布区域性等微观形貌特征，对于感兴趣的晶粒，可以采用EDS点扫描来分析其元素组成，确切的相组成还要结合XRD分析或者TEM的选区电子衍射分析。楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可

微晶玻璃的SEM，一般要看析晶区域和晶粒的形状、大小及分布区域性等微观形貌特征，对于感兴趣的晶粒，可以采用EDS点扫描来分析其元素组成，确切的相组成还要结合XRD分析或者TEM的选区电子衍射分析。楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可

楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可以喷碳，这可以消除荷电问题，不妨碍形貌观察。如果不能喷涂导电膜，就得升级您使用的仪器：使用具有更高的低电压性能扫描电镜，玻璃水平放置，低电压在1kv-2kv之间找到合适的消除荷电的观察条件，或者玻