由原子大小决定吧，SEM用的是隧穿效应，我做SEM扫描金属表面实验的时候读出来的数据都是电压，钨针尖上还要自己加偏压。金属混合物的微观结构是面心立方点阵结构（代表有铝、金、银、铜）和六方最密堆积结构（代表有镁、铍、锌、镉等）的混合，都是填隙

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜

最低含量为0.X%。因为我们进行测量的物质都是定量的，最低含量为0.X%。EDS 点分析是将电子束固定于样品中某一点上，进行定性或者定量的分析。每一种元素在图中会出现一种峰，由此可以看出样品中所含有的元素，同时展示了相对质量分数和相对原子分

楼主如果基体必须是不导电玻璃，如不能喷金，可以喷碳，这可以消除荷电问题，不妨碍形貌观察。如果不能喷涂导电膜，就得升级您使用的仪器：使用具有更高的低电压性能扫描电镜，玻璃水平放置，低电压在1kv-2kv之间找到合适的消除荷电的观察条件，或者玻

扫描电镜中的WD参数是工作距离，样品成像表面到物镜的距离。介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。扫描电镜的优点是：①有较高的放大倍数，2-20万倍之间连续可调；②有很大的景

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背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜

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进行元素分析的信号主要是作用区发射的元素特征X射线，俄歇电子，阴极荧光，背散射电子等，特征能量损失电子。SEM 常常使用：EDS，WDS 分光特征X射线；俄歇电子需要超高真空环境，往往以俄歇电子谱仪的商品出现，也可归入扫描电镜范畴；背散

如果高分子样品导电性很差，在做sem时表面电荷累积，使得画面发白，分辨率下降。这时候可以在表面蒸镀上一层很薄的金或者碳，提高材料的导电性。当然，碳和金层必须非常薄，不影响材料原有性质。扫描电镜成像原理主要有两种，二次电子像(secondar

扫描电镜成像原理主要有两种，二次电子像(secondary electron)：形貌衬度，就是你的细菌外表有凸凹形貌，可以拍摄形貌像；背散射电子探头(back scatter electron)：原子序数衬度，你可以进行染色，把一些重金属的

扫描电镜中的WD参数是工作距离，样品成像表面到物镜的距离。介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。扫描电镜的优点是：①有较高的放大倍数，2-20万倍之间连续可调；②有很大的景

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜

对日开发中ブリッジシステムエンジニア(BSE)英语是:bridgesystemengineer他是指能够和日本人直接交流,并且常驻日本,从而起到一个窗口和桥梁的作用的SE,在日本那边把程序发注到中国来开发,有问题时,可以由他直接和日本那边交