• 锆钛酸铅的压电常数是多少

    锆钛酸铅(PbZrTiO3)缩写为PZT压电应变常数锆钛酸铅-4: 289mV锆钛酸铅-5: 372mV锆钛酸铅-8: 225mV压电电压常数锆钛酸铅-4: 2.6VmN锆钛酸铅-5: 2.48VmN锆钛酸铅-8: 2.5VmN

    2023-4-24
    3600
  • 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-4-23
    4000
  • 磷酸铁锂离子电池正极粉末工艺过程中有机溶剂无水乙醇作用

    无水乙醇的作用没什么可以保密的,只是最佳用量属于工艺参数,往往写在专利里面,这个需要保密。他的作用就是一定程度上防止颗粒团聚、起到细化颗粒度的作用。 一般要出厂要测试的参数从材料本身结构来讲,有:粒径分布(激光粒度仪数据)、SEM照片,晶格

    2023-4-23
    4800
  • 锆钛酸铅的压电常数是多少

    锆钛酸铅(PbZrTiO3)缩写为PZT压电应变常数锆钛酸铅-4: 289mV锆钛酸铅-5: 372mV锆钛酸铅-8: 225mV压电电压常数锆钛酸铅-4: 2.6VmN锆钛酸铅-5: 2.48VmN锆钛酸铅-8: 2.5VmN

    2023-4-22
    3800
  • 单晶硅蠕虫状腐蚀原因

    摘要 在单晶硅太阳电池的制备工艺中 经常利用碱溶液对各个晶面腐蚀速率不同 在硅片表面形成类“金字塔”状绒面 降低反射率。本文研究了氢氧化钠 +乙醇混合体系对 100 晶向的单晶硅片的各向异性腐蚀过程描述了随着氢氧化钠的含量

    2023-4-19
    5000
  • 半导体封装镍钯金基板作用是什么呢

    增加导电性和抗摩擦性能,金是指镀金、镀钯、镀镍三层镀层的简称。镍钯金镀层是目前应用于电子电路行业和半导体行业的最新技术,利用10纳米厚的金镀层和50纳米厚的钯镀层达到良好的导电性能、耐腐蚀性能和抗摩擦性能。镍钯金铜层的厚度会直接影响上述各种

    2023-4-18
    4100
  • 单晶硅电池为什么有斜边

    目前的单晶硅片,是由直拉法生产的单晶硅棒切片获得的。直拉单晶硅棒是圆棒,要切成可以拼排最大面积的正方形方片,势必损失较多的面积,因为正方形的对角线必须是圆的直径。但是,如果不切成正方形,而是省去四个直角部分,切成带斜边的近似正方形,那么,可

    2023-4-16
    5000
  • 请问Si基底制SEM样,我把样品滴在基底上,多久后才用水淋洗和氮气吹啊?我的样是Si线,之前基底已经洗过

    应该是自然干燥或者在烘箱中干燥,不能再用水淋洗,用氮气吹可能会把样品吹落。Si线可能有导电性,但也需要用导电胶带固定。用帖有双面导电胶带的样品杯按压一下硅片,把样品转移到样品杯上。检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电

    2023-4-16
    4800
  • 什么是竹纤维?

    竹纤维指的是从自然生长的竹子中提取出的纤维素纤维。竹纤维是继棉、麻、毛、丝后的第五大天然纤维。竹原纤维具有良好的透气性、瞬间吸水性、较强的耐磨性和良好的染色性等特性,具有天然抗菌、抑菌、除螨、防臭和抗紫外线功能。纤维素是组成竹原纤维细胞

    2023-4-15
    7100
  • ocd光学线宽测量和cd-sem的区别

    SEM作为显微镜,可以放大微观物体形态,一般允许误差在放大倍数±5%。在相同工作条件下,放大倍数一般不会漂移,精度可靠。但随着温湿度变化,随着电磁环境变化,可能会有漂移。因为SEM放大和光学显微镜放大完全不同,完全靠扫描线圈和电器元件控制,

    2023-4-15
    4200
  • 请问Si基底制SEM样,我把样品滴在基底上,多久后才用水淋洗和氮气吹啊?我的样是Si线,之前基底已经洗过

    应该是自然干燥或者在烘箱中干燥,不能再用水淋洗,用氮气吹可能会把样品吹落。Si线可能有导电性,但也需要用导电胶带固定。用帖有双面导电胶带的样品杯按压一下硅片,把样品转移到样品杯上。检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电

    2023-4-15
    5800
  • 什么是竹纤维?

    竹纤维指的是从自然生长的竹子中提取出的纤维素纤维。竹纤维是继棉、麻、毛、丝后的第五大天然纤维。竹原纤维具有良好的透气性、瞬间吸水性、较强的耐磨性和良好的染色性等特性,具有天然抗菌、抑菌、除螨、防臭和抗紫外线功能。纤维素是组成竹原纤维细胞

    2023-4-14
    7700
  • 聚氯化铝生产问题。

    、用高岭土制备聚合氯化铝研究以高岭土为原料制备聚合氯化铝的工艺进行了研究;对传统的制备工艺进行了改进,增加了预处理步骤;通过正交试验来研究预处理比例、焙烧温度、焙烧时间、酸溶时间、酸溶比例和酸溶温度这六个主要工艺参数对PAC产品性能的影响;

    2023-4-14
    11500
  • 隧道施工方法之CD法(上)

    一.  隧道施工CD法与CRD法(上) 1.1  CD工法 1、基本概念 中隔墙法也称CD工法 (CenterDiaphragm),是以台阶法为基础,将隧道断面从中间分成左右部分,使上、下台阶左右各分成2或多部分,每一部分开挖并

    2023-4-14
    5100
  • 测sem时的硅片的作用

    检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段,可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜,硅片是生产集成电路、分立器件、传感器

    2023-4-14
    5500
  • 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-4-14
    5700
  • 聚氯化铝生产问题。

    、用高岭土制备聚合氯化铝研究以高岭土为原料制备聚合氯化铝的工艺进行了研究;对传统的制备工艺进行了改进,增加了预处理步骤;通过正交试验来研究预处理比例、焙烧温度、焙烧时间、酸溶时间、酸溶比例和酸溶温度这六个主要工艺参数对PAC产品性能的影响;

    2023-4-13
    7900
  • 隧道施工方法之CD法(上)

    一.  隧道施工CD法与CRD法(上) 1.1  CD工法 1、基本概念 中隔墙法也称CD工法 (CenterDiaphragm),是以台阶法为基础,将隧道断面从中间分成左右部分,使上、下台阶左右各分成2或多部分,每一部分开挖并

    2023-4-13
    4300
  • 测sem时的硅片的作用

    检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜。扫描电镜SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段,可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。测sem时的硅片的作用检查硅片表面残留的涂层或均匀薄膜,硅片是生产集成电路、分立器件、传感器

    2023-4-13
    5600