• 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-4-12
    7000
  • SEM的全称、常用的模式、常用的镀金电流大小及时间?

    SEM全称是扫描电子显微镜。一般常用微观形貌观测模式。电流大小是由电流密度和镀件面积决定的,电流密度是由各电镀工艺决定的。那么,知道了这几个条件怎样计算镀层厚度或者时间呢?首先要了解电化当量的概念,所谓电化当量,就是单位电流和单位时间内能够

    2023-4-9
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  • 求酸洗知识,在技术要求中这个酸洗该满足什么标准啊?

    发黑就是磷化过的.或者是黑漆.一般磷化黑,颜色没黑漆好看.但比黑漆耐磨.发蓝可以通过度锌可以达到.具体工艺比较复杂.随着人民生活水平的提高,人们对工业产品的使用提出了更高要求,不仅要产品有好的使用功能,更要具备好的装饰性。长期以来,在表面处

    2023-4-8
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  • SEM的全称、常用的模式、常用的镀金电流大小及时间?

    SEM全称是扫描电子显微镜。一般常用微观形貌观测模式。电流大小是由电流密度和镀件面积决定的,电流密度是由各电镀工艺决定的。那么,知道了这几个条件怎样计算镀层厚度或者时间呢?首先要了解电化当量的概念,所谓电化当量,就是单位电流和单位时间内能够

    2023-4-8
    5400
  • 太阳能硅片可用等离子清洗吗 ?

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,劳动量

    2023-4-6
    3600
  • SEM制样时样品为什么要干燥

    1、高真空环境是分子流,湿的样品不断释放水蒸气,使高真空情况下,真空度很难上升,往往达不到比较优越的条件。2、水蒸气和2000多度高温的钨丝反应,会加速电子枪灯丝挥发,极大降低灯丝寿命。3、对电子束的散射,会造成信号损失4、污染样品海绵是一

    2023-4-6
    6600
  • 聚氯化铝生产问题。

    、用高岭土制备聚合氯化铝研究以高岭土为原料制备聚合氯化铝的工艺进行了研究;对传统的制备工艺进行了改进,增加了预处理步骤;通过正交试验来研究预处理比例、焙烧温度、焙烧时间、酸溶时间、酸溶比例和酸溶温度这六个主要工艺参数对PAC产品性能的影响;

    2023-4-6
    10600
  • 关于复合镀

    镍磷复合镀层换热元件制备工艺研究及凝结试验分析 中文摘要: 全世界每90秒就有1吨钢因腐蚀而损失,2005年我国腐蚀损失保守估计为5000亿元,1750万吨标准煤因腐蚀结垢而被消耗。防腐与节能已迫在眉睫。本课题利用化学复合镀技术,通过对

    2023-4-5
    3900
  • 太阳能硅片可用等离子清洗吗 ?

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,劳动量

    2023-4-5
    5200
  • SEM制样时样品为什么要干燥

    1、高真空环境是分子流,湿的样品不断释放水蒸气,使高真空情况下,真空度很难上升,往往达不到比较优越的条件。2、水蒸气和2000多度高温的钨丝反应,会加速电子枪灯丝挥发,极大降低灯丝寿命。3、对电子束的散射,会造成信号损失4、污染样品海绵是一

    2023-4-4
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  • 关于复合镀

    镍磷复合镀层换热元件制备工艺研究及凝结试验分析 中文摘要: 全世界每90秒就有1吨钢因腐蚀而损失,2005年我国腐蚀损失保守估计为5000亿元,1750万吨标准煤因腐蚀结垢而被消耗。防腐与节能已迫在眉睫。本课题利用化学复合镀技术,通过对

    2023-4-4
    3200
  • 碳纤维复合材料层合板怎么制造的?

    制作有很多方法。但目前以预浸料铺层和RTM(树脂传递模塑成型)为主。预浸料铺层在国内用的已经比较成熟,该方法是直接将剪裁好的预浸料片层铺叠在模具上,再在材料上铺放辅助材料后送入热压罐(现阶段主要固化设备)固化成型。RTM在国外用的比较成熟,

    2023-4-3
    4400
  • 请问 高磷 化学镀镍 在线路板 中的应用?? 有什么特点和有点,适合于哪些板子

    1、高磷的化学镍金板其硬度比常用的中磷化学镍金板要高,可是其焊接性也就下降了,所以高磷适合于要求表面处理层高硬度、高耐磨的产品上,而对于要求焊接性高的产品上则不建议使用。2、只是对于化学镍金板,理论测试表明,含磷量越高,黑镍潜在失效风险也会

    2023-4-2
    4900
  • 硅片的尺寸是多少?

    一般单晶硅片的标准如下:6″153mm≤Φ≤158 mm6.2″159 mm≤Φ≤164 mm6.5″168 mm≤Φ≤173 mm8″203 mm≤Φ≤208 mm另外因为单晶硅片四个角是弯曲的一个弧形所以又有这样的标准:弦长

    2023-4-1
    3700
  • 硅片的尺寸是多少?

    一般单晶硅片的标准如下:6″153mm≤Φ≤158 mm6.2″159 mm≤Φ≤164 mm6.5″168 mm≤Φ≤173 mm8″203 mm≤Φ≤208 mm另外因为单晶硅片四个角是弯曲的一个弧形所以又有这样的标准:弦长

    2023-3-30
    6400
  • 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-3-29
    5500
  • 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-3-28
    4300
  • 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-3-27
    5800
  • 清洗硅片的顺序

    太阳能硅片表面等离子体清洗工艺 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易,清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,

    2023-3-26
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