用SEM测超薄薄膜厚度，如何制样才能保证导电性足够好？

想准确测定厚度还是很麻烦的，关键就在于制样，关于镀层或者薄膜厚度的测定有相关标准的，标准名称我不太记得了，改天给你发过来也行（如果需要），大概意思是说在要测的镀层外面再镀一层镍，然后把材料固化在树脂中，再做截面，或者抛光，然后再测定，关键是不要破坏镀层.关于SiO2不导电的问题，喷金或者喷碳就可以解决.

中文名称：三氧化钼

中文别名：氧化钼三氧化钼(VI)

英文名称：Molybdenum trioxide

英文别名：Molybdic oxideMolyxlic trioxidetrioxomolybdenum

CAS号：1313-27-5

EINECS号：215-204-7

分子式：MoO3

分子量：143.9382

InChI=1/Mo.3O/rMoO3/c2-1(3)4

采用溶胶 凝胶法成功制备了三氧化钼 (MoO3)薄膜 .首先 ,以CH3COCH2 COCH3,MoO3,C6 H5CH3和HOCH2 CH2 OCH3为原料合成三氧化钼溶胶和凝胶 .凝胶的热重和差热分析 (TG DTA)显示三氧化钼的晶化出现在5 0 8℃附近的 14 0℃范围内 .其次 ,利用旋转涂布法在硅 (111)基片上通过 4 5 0℃退火处理制备了三氧化钼薄膜 .XRD和FTIR谱表明薄膜为α MoO3相 .SEM形貌像显示薄膜中晶粒分布均匀致密 ,在基片表面无择优取向 晶粒尺度范围在 0 .5～ 1μm之间 .

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