黄金熔点是1063℃。“真金不怕火炼”并不是指火烧不化金子，而是指金的化学性质稳定性很高，即使在高温甚至到达熔点1063℃的情况下，也不会发生可觉察的性状改变。也就是说，真的黄金火烧不变色，熔炼后也没变轻。金在高温下也不与氧气发生反应，不会氧化变色，也没有生成氧化物丢失，熔融状态下挥发掉的金也很少。
黄金重要的工业用途
由于黄金有极好的延展性能、耐热性能、耐腐蚀性能、导电导热性能，在电器的许多关键部位都用镀金或黄金的合金，电极镀金的开关，大大提高了开关的额定电流容量。在半导体芯片制造上，由于黄金还有极好的与其他材料结合的性能，工艺上用于金属与非金属的连接，芯片背面镀金解决单晶硅片与基座的电气的连接，芯片的散热，用黄金合金或镀金电极引出线等。
华网石家庄3月30日电（记者 曹国厂）记者日前从河北晶龙集团了解到，其麾下位于江苏东海县的晶澳太阳能科技有限公司自主研发的“超大晶粒准单晶硅铸锭”技术取得重大突破，用生产多晶硅铸锭技术，可得到接近直拉单晶硅的高品质，且成本大大降低。目前，这项技术已通过由连云港市科技局组织的专家组鉴定。由厦门大学光伏工程专业教授陈朝、清华大学工程热物理和材料学教授郑丽丽等7名专家组成的鉴定委员会，对“超大晶粒准单晶硅铸锭”技术鉴定后认为，“这项技术可操作性强、易推广、稳定可靠，产品性能具有单晶的优点，且氧含量低于直拉单晶，与单晶硅片相比具有很强的成本优势。”
采用新工艺制作的太阳能电池片平均效率达到17．2％以上，比传统多晶硅电池高1％左右，最高效率达18．3％。
工艺成本上，直拉单晶为160元／公斤，而准单晶铸锭仅为60元／公斤。太阳能电池总成本上，在硅原料、切片、组件等其他成本稳定的前提下，整条生产链的成本可因准单晶硅铸锭技术降低10％。
人看法：
“准单晶”，根据其物理性质，应该是介于多晶硅和单晶硅之间的一种新物质，和单晶硅多晶硅都不同，因此生产线上的铸锭、切割、扩散、清洗、CVD、印刷等肯定不一样，所以做成电池片还早着呢。这个准单晶可以看做是“原子排列相对有序的多晶硅”，排列有序那就是比较透明的，因此转换率较高就好理解。不过因为没有严格的原子排列顺序，可以预测其导电性能也是不如单晶硅，因此是不可能用作电子级晶圆的。结论就是种好点的多晶硅而已。转换率18.3%，无锡尚德多晶单晶转换率已经达到17.5%、19.5%，国外先进的SunPower今年晶硅电池转换率已经达到24.2%。同样的设备，经验和技术更重要。
准单晶物质
最早由莫斯科钢与合金研究所于2004年4月成功合成出，是一种特殊的物质称为准单晶，即其中铁、铜、铝三种原子的排列很特殊。普通单晶物质是由相同的原子形成的晶格组成的，就像一堵墙由同样的砖组成一样。而在这种准单晶物质中，虽然原子的排列有着严格的顺序，但没有普通单晶材料中到处相同的晶格。它们中原子的排列是一种几何序列：有类似晶格的排列，但没有晶格的排列重复性，晶格之间的距离永远在增大。在该物质中，3种金属原子的排列虽不像普通单晶那样具有相同的晶格，但仍具有严格的顺序，呈现出几何排列。
科研人员在解释该科研成果时指出，准单晶几乎是一个新的物理概念。20年前，在解释铝、锰原子合成的特殊材料的伦琴射线照片时提出了这一概念。在这张伦琴射线照片上能清楚的观察到铝原子和锰原子严格有序的排列。但用经典的晶体学原理却不能解释这种现象，因为普通单晶材料中禁止原子如此排
列。
科研人员研究发现，在由铁、铜、铝三种原子合成的准单晶材料中，原子的排列很特殊。普通单晶物质是由相同的原子形成的晶格组成的，就像一堵墙由同样的砖组成一样。而在这种准单晶物质中虽然原子的排列有着严格的顺序，但没有普通单晶材料中到处相同的晶格。它们中原子的排列是一种几何序列：有类似晶格的排列，但没有晶格的排列重复性，晶格之间的距离永远在增大。
科研人员在解释合成铁、铜、铝三种原子准单晶材料的方法时指出，他们使用的方法称之为机械—化学合成法，既简单传统，也很经济。在合成过程中，科研人员使用了一些特殊的物理方法，即在一特殊的装置内用重球对原材料进行长时间的冲撞和打击，直到原材料加工到原子水平，同时为了保持材料的特性，还在高温下对粉末进行了烧结。
在研究准单晶材料的性质时科研人员发现，在橡胶和聚合物底基上用这种准单晶物质制成的复合材料具有独特的性质，既有金属的性质，也具有陶瓷的特性。它们像金刚石一样坚硬，摩擦系数比任何金属都要小，比超滑氟层材料稍大一点，化学稳定性和耐摩性很高。有关专家指出，这种性能独特的准单晶材料将在工业应用上有着广泛的前景，比如，可以作各种橡胶和塑料密封塞的填充物。
据悉，俄科研人员利用机械－化学合成法已研制出2种准单晶材料：一种是铁—铜—铝；另一种是铬—铜—铝。该科研项目已获得了俄罗斯基础研究基金的资助。
一、IC生产工艺流程图
整个流程分为六个部分：单晶硅片制造，IC设计，光罩制作，IC制造，IC测试和封装。
1、单晶硅片制造
单晶硅片是用来制造IC的，单晶硅片制造流程主要有拉晶、切割、研磨、抛光和清洗。
2、IC设计
IC设计主要是设计电路，并把设计好的电路转化为版图。
3、光罩制作
光罩制作是指将IC设计中心已设计好的电路版图以同样比例或减小比例转化到一块玻璃板上。
4、IC制造
IC制造是指在单晶硅片上制作集成电路芯片，其流程主要有蚀刻、氧化、扩散/离子植入、化学气相沉积薄膜和金属溅镀。拥有上述功能的公司一般被称为晶圆代工厂。
5、IC测试
在产品销售给客户前，为了确保IC的质量，在IC封装前（晶圆点测）或者封装后（终测）要对其功能进行测试。
6、IC封装
IC封装是指晶圆点测后对IC进行封装，其流程主要有晶圆切割、固晶、打线、塑封、切筋和成形、打码、终测、分选和编带。
二、贴片电阻生产工艺流程图
工艺过程主要有三大基本操作步骤：涂布、贴装、焊接。
1、涂布
涂布是将焊膏（或固化胶）涂布到PCB板上。涂布相关设备是：印刷机、点膏机。
涂布相关设备是印刷机、点膏机。
涂布设备：精密丝网印刷机、管状多点立体精密印刷机。
2、贴装
贴装是将器件贴装到PCB板上。
相关设备贴片机。
贴装设备：全自动贴片机、手动贴片机。
3、回流焊：
回流焊是将组件板加温，使焊膏熔化而达到器件与PCB板焊盘之间电气连接。
相关设备：回流焊炉。
三、电容生产工艺流程图
1、原材料：陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；
2、球磨：通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)； 3、配料——各种配料按照一定比例混合； 4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；
5、流沿：将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，保证表面平整)；
6、印刷电极：将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证，不同MLCC的尺寸由该工艺保证)；
7、叠层：将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来，形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的)；
8、层压：使多层的坯体版能够结合紧密；
9、切割：将坯体版切割成单体的坯体；
10、排胶：将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除；
11、焙烧：用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间，如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂)；
12、倒角：将长方体的棱角磨掉，并且将电极露出来，形成倒角陶瓷颗粒；
13、封端：将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极，并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的)；
14、烧端：将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密；形成陶瓷电容初体；
15、镀镍：将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层，镍层一定要完全覆盖电极端铜或银，形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透，导致电容老衰)；
16、镀锡：在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料，镀锡工艺决定电容的可焊性)；
17、测试：该流程必测的四个指标：耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值，电容的精确度等)
扩展材料：
流程图的基本符号
1、设计流程图的难点在于对业务逻辑的清晰把握。熟悉整个流程的方方面面。这要求设计者自己对任何活动、事件的流程设计，都要事先对该活动、事件本身进行深入分析，研究内在的属性和规律，
在此基础上把握流程设计的环节和时序，做出流程的科学设计，研究内在属性与规律，这是流程设计应该考虑的基本因素。 也是设计一个好的流程图的前提条件。
2、根据事物内在属性和规律进行具体分析，将流程的全过程，按每个阶段的作用、功能的不同，分解为若干小环节，每一个环节都可以用一个进程来表示。在流程图中进程使用方框符号来表达。
3、既然是流程，每个环节就会有先后顺序，按照每个环节应该经历的时间顺序，将各环节依次排开，并用箭头线连接起来。 箭头线在流程图中表示各环节、步骤在顺序中的进程，某环节，按需要可在方框中或方框外，作简要注释，也可不作注释。
4、经常判断是非常重要的，用来表示过程中的一项判定或一个分岔点，判定或分岔的说明写在菱形内，常以问题的形式出现。对该问题的回答决定了判定符号之外引出的路线，每条路线标上相应的回答。
参考资料：百度百科-流程图分析法
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