SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

电子束照射测试样品时，会产生背散射电子、二次电子、吸收电子、透射电子、俄歇电子、特征X射线等物理信号。

（1）背散射电子的特征：

1)弹性背散射电子远比非弹性背散射电子所占的份额多；

2)能量高，例如弹性背散射，能量达数千至数万eV；

)背散射电子束来自样品表面几百nm深度范围 ；

4)其产额随原子序数增大而增多 ；

5)用作形貌分析、成分分析（原子序数衬度）以及结构分析。

（2）二次电子的特征

1)二次电子能量较低。一般不超过50 eV，大部分几eV；

2)来自表层5—10nm深度范围；

3)对样品表面的状态十分敏感，因此能有效地反映样品表面的形貌；

4)其产额与原子序数间没有明显的依赖关系。因此，不能进行成分分析。

（3）吸收电子的特征：

1）与背散射电子的衬度互补。入射电子束射入一个多元素样品中时，背散射电子较多的部位（Z较大）其吸收电子的数量就减少，反之亦然；

2）吸收电子能产生原子序数衬度，即可用来进行定性的微区成分分析 。

（4）透射电子的特 征：

1）透射电子信号由微区的厚度，成分和晶体结构决定 。

2）可配合电子能量分析器进行微区成分分析。即电子能量损失谱EELS。

（5）俄歇电子的特征：

1）各元素的俄歇电子能量值很低，50～1500eV ；2）来自样品表面1—2nm范围。其平均自由程很小（＜1 nm），较深区域产生的俄歇电子向表面运动时必然会因碰撞损失能量而失去特征值的特点。因此，只有在距表面1nm左右范围内逸出的俄歇电子才具有特征能量。因此它适合做表面分析。

（6）特征X射线的特征：

特征：

1）用特征值进行成分分析 ；

2）来自样品较深的区域。

SEM的样品可以是大的块状，较小的话就镶样，也可以做粉末样。而TEM的样呢一般是直径3mm的圆片，而且中间有通过离子减薄或者电解双喷等弄出的小孔，也就是说有薄区，如果是粉末样的话需要铜网或者支持膜支撑

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