背散射
电子是发射电子被
样品弹性碰撞弹回来的,所以
原子序数大的原子越大,弹性碰撞的概率越大,所以原子序数大的背散射电子强度的大;二次电子是从样品表面发射的电子,跟原子序数没关系,跟样品的表面形态有关,因为撞击角度90度是二次电子基本么有,倾斜装机的二次电子产率就很高了,所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。ds区原子序数最小的元素是铜元素。ds区元素是指元素周期表中的ⅠB、ⅡB两族元素,包括IB族:铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、錀(Rg);IIB族:锌(Zn)、镉(Cd)、汞(Hg)、鎶(Cn)6种自然形成的金属元素和Rg、Cn2种人工合成元素。二次电子信号来自于样品表面层5~l0nm,电子与样品原子的核外电子作用,一部分能量转移到原子,导致原子中的一个电子被逐出而产生二次电子。二次电子信号强弱与样品表面粗糙度有关,可利用二次电子成像的模式-SEI模式观察样品表面形貌。
电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞,电子方向发生改变,但无能量损失,这样的电子叫背散射电子。背散射电子信号强弱与样品原子的原子量有关,可利用背散射电子成像的模式-BSE模式观察样品表面元素分布情况。
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