中文名三氧化硒分子式SeO3性质无色晶体物密度3.6gcm3熔点118.5℃。空气中易吸潮。在潮湿空气中冒烟，易溶于水，生成硒酸（H2SeO4）。加热时发生内部氧化还原反应，240℃生成五氧化二硒，260℃生成二氧化硒。易和有机溶剂激烈反

中文名三氧化硒分子式SeO3性质无色晶体物密度3.6gcm3熔点118.5℃。空气中易吸潮。在潮湿空气中冒烟，易溶于水，生成硒酸（H2SeO4）。加热时发生内部氧化还原反应，240℃生成五氧化二硒，260℃生成二氧化硒。易和有机溶剂激烈反

Se + 2 H2SO4(浓) ==△== SeO2 + 2 SO2 + 2 H2O氧化性：氧化剂H2SO4＞氧化产物SeO23 SeO2 + 2 H2S = 3 Se + 2 SO2 + 2 H2O氧化性：氧化剂 SeO2＞氧化产物S

O元素的的电子是8，而最外层的电子是6，因此得到2个电子才会稳定，所以是-2价而Se的最外层是4个电子，失去4个电子为+4价。而本应该化学式Se2O4（这个理论是对的，但是不能这样写），这个要化成最简式为SeO21 结论：亚硒酸氧化性大于亚

更强。还原性是一种化学专业词汇，是相对于氧化性来说的，能还原别的物质，即具有还原性，seo2和h2s还原性更强，因为SeO2更容易被氧化。h2s是硫化氢，硫化氢是一种无机化合物，分子式为H2S，分子量为34.076，标准状况下是一种易燃的酸

更强。还原性是一种化学专业词汇，是相对于氧化性来说的，能还原别的物质，即具有还原性，seo2和h2s还原性更强，因为SeO2更容易被氧化。h2s是硫化氢，硫化氢是一种无机化合物，分子式为H2S，分子量为34.076，标准状况下是一种易燃的酸

中文名三氧化硒分子式SeO3性质无色晶体物密度3.6gcm3熔点118.5℃。空气中易吸潮。在潮湿空气中冒烟，易溶于水，生成硒酸（H2SeO4）。加热时发生内部氧化还原反应，240℃生成五氧化二硒，260℃生成二氧化硒。易和有机溶剂激烈反

1 结论：亚硒酸氧化性大于亚硫酸其中硒最外层s电子(4s)比硫最外层s电子(3s)难以失去!----这就是产生硒酸特强的氧化性的根源!而硒最外层p电子(4p)却比硫最外层p电子(3p)容易失去!----这就是硒酸和亚硒酸在区分性酸性溶剂中的

中文名三氧化硒分子式SeO3性质无色晶体物密度3.6gcm3熔点118.5℃。空气中易吸潮。在潮湿空气中冒烟，易溶于水，生成硒酸（H2SeO4）。加热时发生内部氧化还原反应，240℃生成五氧化二硒，260℃生成二氧化硒。易和有机溶剂激烈反

如果是判断的话我建议你看一下共价键理论,其中有一段话是重点确定分子或离子中,中心离子的价电子书和配位原子数之和,除以二后,就是中心原子价电子层的电子对数.其实就是设中心原子最外层电子有N作为配位原子通常是H,O和卤素原子,H和卤素原子各提供

1 结论：亚硒酸氧化性大于亚硫酸其中硒最外层s电子(4s)比硫最外层s电子(3s)难以失去!----这就是产生硒酸特强的氧化性的根源!而硒最外层p电子(4p)却比硫最外层p电子(3p)容易失去!----这就是硒酸和亚硒酸在区分性酸性溶剂中的

如果是判断的话我建议你看一下共价键理论,其中有一段话是重点确定分子或离子中,中心离子的价电子书和配位原子数之和,除以二后,就是中心原子价电子层的电子对数.其实就是设中心原子最外层电子有N作为配位原子通常是H,O和卤素原子,H和卤素原子各提供

禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和

禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和

绝缘体的禁带宽度较大,价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子,故电导率较低；导体的禁带宽度较小,价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子,同时在价带顶形成空穴,故电导率较高；半导体禁带宽度介于二者之间,故电导率也介于二者之间固体的

我来回答一下，本人某电微电子科学与工程专业，有表述不当之处，望批评指正。影响半导体禁带宽度的因素主要有两种：温度与掺杂浓度。（以si、Ge、GaAs半导体为主）1、半导体禁带宽度具有负温度系数：从原子到晶体，经过价键杂化（即：sp3杂化

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常

玻璃在结构上属于原子排列不规则的无定型结构，跟晶体相对，晶体是原子规则排列的定型结构。这个差别在于，玻璃是各向同性，就是说各个方向的物理化学性质在宏观上相同，因为其原子排列在微观上杂乱无章，导致了宏观上的统计结果的同性；而晶体是各向异性，不

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常