目前的单晶硅片,是由直拉法生产的单晶硅棒切片获得的。直拉单晶硅棒是圆棒,要切成可以拼排最大面积的正方形方片,势必损失较多的面积,因为正方形的对角线必须是圆的直径。但是,如果不切成正方形,而是省去四个直角部分,切成带斜边的近似正方形,那么,可以最大限度地利用圆的面积。斜边部分是小圆弧切成弦导致的,适合于加工和安装。
图中圆是原始硅片。粗正方形是带直角的假设的硅片,细框正方形和圆周之间围成的弧角正方形是实际的硅片的原始形状,把弧切成弦,就是真正的单晶硅片。
如果是多晶硅片,由于多晶硅锭是正方形的,所以就直接切成正方形的硅片了。
现在最新的技术已经可以生产方形锭的单晶硅了,可以切成直角正方形了,并且原料利用率大幅度提高。
有。硅片一般分正面和背面,正面印正银,背面印背银和背铝,烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕,这种工艺在切割时就定型,用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时,硅片两面都有线痕,经抛光研磨后成晶圆,再上光刻胶。
很多纳米管、线等都是在类似的基体上生长,然后直接SEM观察。换句话说,只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的,浪费,直接双面导电胶带粘即可。抛光是研磨后进一步平整漆面,除去研磨残余条纹,抛光剂使漆面光泽度自然呈现。抛光有很多种,有机械抛光、化学抛光、电解抛光、超声波抛光、流体抛光、磁研磨抛光。
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