第一个问题回答：销售内勤的工作，一般都比较简单，属于基础辅助工作。当然特殊情况还要看工作性质和当事人的工作能力情况。第二个问题回答：具体的工作内容根据公司情况会有不同，大部分都有的工作内容如下：1、整理并统计销售和库存记录，按月上报

1、放大率：与普通光学显微镜不同，在SEM中，是通过控制扫描区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由屏幕照片面积除以扫描面积得到。所以，SEM中，透镜与放大率无关。2、场深：在SE

如果是新买的树脂，用乙醇浸泡使充分溶胀，装柱，水洗脱至无醇味即可上样。多次用过的树脂，用之前要再生，用稀酸、稀碱依次浸泡，水洗中性，装柱后用乙醇（浓度逐渐增大）冲洗，水洗脱至无醇味即可上样。想准确测定厚度还是很麻烦的，关键就在于制样，关于镀

需要。一般在4度固定24到48小时即可，固定时间因组织而异。4%的多聚甲醛代理可以固定标本不能超过48hours，固定时间太久组织会变脆。一 般来说都是将细胞悬液离心并弃上清后加入固定液，我们加的是70％的冰乙醇，加的量根据你细胞的多少。你

组织乙醇梯度脱水时间要看浓度。梯度乙醇脱水：85%乙醇2小时，95%乙醇3缸各2小时，无水乙醇2缸各1小时。乙醇：脱水梯度：低浓度到高浓度，据材料确定梯度大小，脱水时间：据组织块种类、体积大小、厚度而定。对。小鼠的肠道梯度为75%酒精4小时

细胞计数法 实验方法原理： 体外培养细胞生长、分裂繁殖的能力，可用分裂指数来表示。它与生长曲线有一定的联系，如随着分裂指数的不断提高，细胞也就进入了指数生长期。 分裂指数指细胞群体中分裂细胞所占的百分比，它是测定细胞周期的一个重

摘要 在单晶硅太阳电池的制备工艺中 经常利用碱溶液对各个晶面腐蚀速率不同 在硅片表面形成类“金字塔”状绒面 降低反射率。本文研究了氢氧化钠 +乙醇混合体系对 100 晶向的单晶硅片的各向异性腐蚀过程描述了随着氢氧化钠的含量

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105℃。添加Bi2O3后的热蚀温度低于烧结温度105℃时，都能获得效果较好的SEM形貌。热蚀溶液的配方是5～15％NaOH，其余为水，热蚀温度为50～90℃，热蚀时间通常为20～120秒。摘要 在单晶硅太阳电池的制备工艺中 经常利用碱

摘要 在单晶硅太阳电池的制备工艺中 经常利用碱溶液对各个晶面腐蚀速率不同 在硅片表面形成类“金字塔”状绒面 降低反射率。本文研究了氢氧化钠 +乙醇混合体系对 100 晶向的单晶硅片的各向异性腐蚀过程描述了随着氢氧化钠的含量

105℃。添加Bi2O3后的热蚀温度低于烧结温度105℃时，都能获得效果较好的SEM形貌。热蚀溶液的配方是5～15％NaOH，其余为水，热蚀温度为50～90℃，热蚀时间通常为20～120秒。摘要 在单晶硅太阳电池的制备工艺中 经常利用碱

在做扫描电镜（SEM）测试时，大部分同学已经了解了SEM测试样品的相关要求，但是仍然有一部分同学不太清楚，今天铄思百检测小编整理了关于“SEM测试样品要求”希望能帮到大家！SEM测试样品要求如下：1.粉末、液体、薄膜、块体均可。粉末10mg

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有。硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管、线等都

华网石家庄3月30日电（记者 曹国厂）记者日前从河北晶龙集团了解到，其麾下位于江苏东海县的晶澳太阳能科技有限公司自主研发的“超大晶粒准单晶硅铸锭”技术取得重大突破，用生产多晶硅铸锭技术，可得到接近直拉单晶硅的高品质，且成本大大降低。目前，这

有。硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管、线等都

华网石家庄3月30日电（记者 曹国厂）记者日前从河北晶龙集团了解到，其麾下位于江苏东海县的晶澳太阳能科技有限公司自主研发的“超大晶粒准单晶硅铸锭”技术取得重大突破，用生产多晶硅铸锭技术，可得到接近直拉单晶硅的高品质，且成本大大降低。目前，这

中午好，乙醇也可以溶解「盐」的只不过一般都是有机盐。由于乙醇是极性溶剂，对于无机物来说缺乏直接溶解力（但是，含有多碳脂肪键的则可以，比如乙醇不可以，但乙二醇，丙二醇和丙三醇就可以溶解日常的盐，氯化钠氯化钾等等）。与水互溶是它的物理特性，乙醇

你的镀膜喷的是什么金属，金，pt，PtPa，还是Ir？如果是Au，Pt的可以用王水溶掉吧我没做过，只是猜测。至于镀层厚度，要看你的具体情况了，几个nm到十几个nm都有。如果你做能谱可能要薄一点，如果想观察到清晰图像，不被样品的二次电子干扰